非晶硅薄膜

(IBC-SHJ)。图表3 IBC光伏电池工艺路线数据来源：中科院宁波材料所HBC工艺即在硅片表面采用本征非晶硅进行钝化,在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结,该结构充分利用了非晶硅优越的表面钝化

低温非晶硅薄膜、柔性OLED显示所需低温氮化硅薄膜以及光学等其他行业所需的微电子薄膜。昶火微科致力于开发半导体硅基纳米薄膜生长工艺解决方案，是国内专注于大面积平板镀膜装备研发制造企业。公司在基于大面积

23.5%，与PERC相比高出1%。其次是技术储备。目前PECVD+PVD是新建产能的主流选择。非晶硅薄膜沉积有PECVD与HWCVD两种路线，TCO沉积有PVD与RPD两种路线。从投资角度
，非晶硅薄膜沉积(PECVD)的设备投资占总设备投入的50%。制绒清洗、TCO制备、电极制备分别占总成本的10%、25%和15%。目前的设备投资额度约5亿元/GW，可以说，未来哪家企业率先推出稳定工艺设备与

生产能力。公司预计，项目正常达产后可形成年均销售收入约20.84亿元，年均税后利润约2.33亿元，内部收益率约为22.12%。据了解，HJT 电池的核心工艺包括:清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜

ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、P型非晶硅薄膜(p-A-SI:H)，形成光生载流子分离的p-n异质结;在硅片的背面依次沉积本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、n型非晶硅薄膜(n-A-SI:H)形成

率在93-95%;而PERC电池良率在97-98%之间。异质结相比于PERC和TOPCon工艺步骤少，仅有四步，分别为：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化。理论而言，工艺步骤少，可以
异质结技术最主要的优势。异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。在技术延伸上，随着异质结技术的逐渐

HJT均采用钝化接触技术来提高转换效率。其中，TOPCon电池以N型硅衬底，通过背面覆盖一层沉积在超薄隧穿氧化硅层上的掺杂多晶硅薄层，形成较好的钝化接触结构；HJT电池通过非晶硅薄膜的引入，能够兼具