非晶材料

发电侧实现平价上网。 　　　　《规划》意见稿的另一亮点在于薄膜电池得到重视，提出将在十二五期间重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。为了降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积

尘埃落定。 　　据多位知情人士表示，若不出意外，该《规划》意见稿将于2011年10月前后出台，光伏巨头们的势力范围也将出现新格局。 　　这份文件中还指出，将在“十二五”期间重点发展非晶与微晶相结合的

软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能。国内技术较领先的品牌有英威腾、汇川、三 晶、紫日电气科技有限公司、雷诺尔、欧瑞（原烟台惠丰）、蓝海华腾。　　逆变器类型有他励逆变器
FET、nMOSFET、pMOSFET等。MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide

出台。业内分析称，若意见稿属实，将对东莞的薄膜光伏产业产生不可估量的影响。制图 薄膜电池转化率要达到12%据《中国经营报》报道，意见稿指出，将在十二五期间重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池

显得比较重视。其次，光伏产业的新能源产品在技术上还是存在不足，转化率低、成本高这一现状需要在技术上进行解决突破。 　　薄膜电池迎来新机遇 　　《规划》意见稿中特别提出重点发展非晶与微晶相结合的叠层和

表： 序号项目名称核准批复投资金额（万元） 1硅晶材料产业园项目（一期）京技管项核字16 号90，000 募集资金到位前，发行人将根据项目实际进度，使用自有资金及银行贷款投 入，募集资金到位后置换已
%。其中，光伏设备制造业务的收入和利润分别下滑 12.57%和 9.16%， 主要系 2008 年底和 2009 年上半年部分订单无法如期履行所致。晶体硅生长和晶 片业务收入下滑幅度达到 85.71

、激光选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。(四)薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和

的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。(四)薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜
，2010年出口额达到202亿美元。2.多晶硅产业规模快速扩大，掌握生产关键技术十一五期间，我国投产的多晶硅年产量从两三百吨发展至4.5万吨，光伏产业原材料自给率由几乎为零提高至50%左右，已形成数百亿元级的

得到重视，提出将在十二五期间重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。为了降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性硅基薄膜太阳电池卷对卷连续生产工艺等
多晶硅价格有望持续上涨。因此，相应的多晶硅材料可能具备一定的短期机会，如乐山电力、川投能源等。 下一页 　　中下游　　光伏组件与电站

稿的另一亮点在于薄膜电池得到重视，提出将在十二五期间重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。为了降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性硅基薄膜太阳电池卷