非晶材料

非晶材料,索比光伏网为您提供非晶材料相关内容,让您快速了解非晶材料最新资讯信息。关于非晶材料更多相关信息,可关注索比光伏网。

光伏产业双雄争霸 薄膜电池异军突起来源: 发布时间:2008-06-11 17:32:59

生产成本降低约30%外,还有更低的温度系数。在光线照射不很强的情况下,其性能更加稳定,发电效率要高于晶体硅电池。    同时,相对于多晶硅这个生产过程中的“耗电大户”,薄膜的耗电量仅是它的7%~8
电池科技有限公司等,近年来也一直处于大众的视线之外。    异军突起    晶体硅电池高昂的硅材料,一直以来都是业内热炒的话题。光伏产业的日渐受宠,引发了硅材料的供应危机。硅料价格自2004年底

欧瑞康的薄膜硅光伏技术来源: 发布时间:2008-05-15 15:41:59

,正电极和背电极层 2. KAI1200为等离子体增强化学气相沉积(PECVD),和微晶硅光敏层 3. LSS 1200激光划线来制作串联电池。 (编辑:xiaoyao)
Johannes Meier博士发明的,由非晶硅和微晶硅两种不同的硅材料组成的。这个具有专利的组合提升了能源转换效率,与传统的非晶硅单个电池相比,提升了50%。制成的环保型高效微晶硅叠层组件为客户提供了

旭能拟建置全台首条微晶硅太阳能电池生产线来源: 发布时间:2008-02-26 14:11:59

微晶硅太阳能电池生产线。微晶硅制程是透过气相沈积,利用薄膜材质为基础,以高压方式改变非硅材料的结构,使其具有类传统硅材料太阳能电池结构的技术,结合薄膜与硅晶两大新旧产品的优势。 旭能成

我国发展太阳能发电技术产业的思考来源:Solarbe.com 发布时间:2008-02-25 14:24:32

太阳电池,有机纳米晶太阳电池和非纯净硅材料太阳电池生产技术。现在,我国太阳能发电技术产业的最佳切入点,不再是扩大多晶硅太阳电池生产,而是开发其他材料的太阳电池,尤其是如何解决太阳电池的多晶硅材料供应问题

成本优势凸显 薄膜太阳能电池产业提速来源: 发布时间:2008-01-19 10:06:59

涉及以下几个方面:非晶硅光致退化机理和稳定性改进;薄膜多晶硅低温成核及晶化机理;微晶硅生长机制、结构控制及电性能调制;特定光伏薄膜材料,特别是纳米技术微结构与光伏性能及制备新技术的研究,拓宽光谱响应的
。 基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟,在装机容量一直占据领先地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降,但由于材料和工艺的限制,晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间

薄膜晶体硅太阳能电池的潜力来源:Sichinamag 发布时间:2007-12-20 10:27:08

太阳能电池,即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上,比如陶瓷(图2)或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实,利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得
。选择热CVD是因为它的生长速率高,而且可以获得高质量的晶体。然而这样的选择却限定了只能使用陶瓷等耐热衬底材料。这项技术还不像其它薄膜技术那样成熟,但已经表现出使成本降低的巨大潜力。   采用薄膜

关于我国发展太阳能发电技术产业的思考来源: 发布时间:2007-12-05 23:40:51

电池和非纯净硅材料太阳电池生产技术。现在,我国太阳能发电技术产业的最佳切入点,不再是扩大多晶硅太阳电池生产,而是开发其他材料的太阳电池,尤其是如何解决太阳电池的多晶硅材料供应问题。 3 市场

全球太阳能技术领跑者——之一:美国篇(表)来源:不详 发布时间:2007-11-25 10:41:55

《2006太阳能年度报告》筛选出20个正在建立可持续发展竞争优势的“主要领跑者” ,其中美国有6个:Applied Materials(应用材料)、Evergreen Solar、First Solar
:REC。 这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节,即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备,这个环节技术门槛高

薄膜电池催熟太阳能电池市场来源: 发布时间:2007-10-09 10:02:59

领域。去年末,夏普推出了两款薄膜太阳能电池板,据说转换效率达8.5%,功率可达90W。这些产品基于串连电池设计,把单独的与单晶层结合在一起。它的一个关键特点是能够在玻璃基板上面形成厚度只有2微米
2006年持平。全球太阳能产业的增长正在因多晶硅的持续短缺而受到抑制。多晶硅是生产太阳能电池的关键材料。薄膜电池的吸引力在于它们很少使用或根本不使用多晶硅。 与之相关的一个重要变化是,薄膜太阳能电池已经

碳化硅粉料和自结合碳化硅陶瓷来源:中国研磨网 发布时间:2007-07-12 11:28:36

耐高温的材料,在非氧化气氛下,温度可达2200℃,在氧化条件下尚可达1600℃,可是由于结合材料的耐火度低,导致碳化硅制品的耐火度降低,如:氮化硅结合的碳化硅在1350℃即发生分解。所以自结合碳化硅,则可