非晶材料

大同集团体系下的结晶矽太阳能矽晶圆厂绿能，26日宣布与半导体暨光电设备大厂美商应用材料(Applied Materials)将在桃园合作建置一条8.5代薄膜(Thin film)非晶矽
(amorphous silicon；a-Si)太阳能生产线。成为台湾省首家生产大尺寸太阳能模组厂，同时揭开两大集团体系在次世代薄膜太阳能领域的合作新纪元。 应用材料2006年购并美商Applied Films

) 所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H薄膜，然后将薄膜在600℃以上的

领域。太阳能电池是光伏发电系统中的关键部分，包括硅系太阳电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅电池)和非硅系太阳能电池等。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料较少，又无效率衰退问题，并且可以在廉价衬底材料上制备，其

可能在2007年爆发。　　事实上，全球最大光伏市场德国正在对进口酝酿限制措施，而拥有核心技术的上游原材料厂商结成的强势同盟随时可能涨价，或许2007年就是中国光伏产业的寒冬。　　投资，再投资　　2005年
价格，目前国际厂商销售给中国企业的多晶硅价格奇高，甚至达到了200美元/千克，且还常常有价无市。而太阳能电池的产成品价格始终在3.1-3.2美元/瓦，国内光伏企业的利润由于哄抬原材料价格而一降再降。　　国内

，因此聚光电池一直受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步
索比光伏网讯:5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO

立 无定形材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料

： （１）低成本 （２）导电（或绝缘，依结构设计而定） （３）热膨胀系数与硅匹配 （４）非毒性 （５）有一定机械强度 比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，１９９７年每峰瓦单晶硅太阳电池的成本已经降到５美元以下。单晶硅太阳电池虽然在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位，但是也暴露了许多缺点，其主要问题是成本过高。受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的

缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型 对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se

材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的

受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步降低。这种电池在
是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要