非掺杂异质结全背太阳电池
/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率的
∶H/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率
，在长晶过程中，结晶界面上的温度在理论结晶温度附近波动幅值达到3K，导致结最界面形状与稳态条件下的情况存在明显差別。 非掺杂异质结全背太阳电池的研究 完成人：上海交通大学 林豪、吴飞、沈文忠
研究高效电池技术，如钝化发射极和背表面(PERC)、发射极钝化和全背面扩散(PERT)、金属穿孔卷绕(MWT)、具有本征非晶层的异质结(HIT)、交指式背接触(IBC)等，逐渐形成不同的技术流派。高效电池
各自研究高效电池技术，如钝化发射极和背表面(PERC)、发射极钝化和全背面扩散(PERT)、金属穿孔卷绕(MWT)、具有本征非晶层的异质结(HIT)、交指式背接触(IBC)等，逐渐形成不同的技术流派
和背表面(PERC)、发射极钝化和全背面扩散(PERT)、金属穿孔卷绕(MWT)、具有本征非晶层的异质结(HIT)、交指式背接触(IBC)等，逐渐形成不同的技术流派。高效电池技术趋于多样化，直接影响
进行研发。 其中有美国Sunpower公司研发了交指式背接触(IBC结构)N型硅太阳电池、日本三洋公司研发的HIT结构非晶Si/N型硅异质结电池、德国弗朗霍夫太阳能研究所研发的PERL结构N型硅
Sunpower公司研发了交指式背接触(IBC结构)N型硅太阳电池、日本三洋公司研发的HIT结构非晶Si/N型硅异质结电池、德国弗朗霍夫太阳能研究所研发的PERL结构N型硅太阳电池和英利研发的双面发电前
Sunpower公司研发了交指式背接触(IBC结构)N型硅太阳电池、日本三洋公司研发的HIT结构非晶Si/N型硅异质结电池、德国弗朗霍夫太阳能研究所研发的PERL结构N型硅太阳电池和英利研发的双面发电前表面硼发射极
成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。 2.HIT异质结高效N型硅太阳能电池 所谓HIT结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化
