铸锭工艺

损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类单晶产品中最高。第二代类单晶除了在产品技术参数上做了提升，其外
常规电池工艺可以做到280W，我们用先进工艺还多10W，可以做到290W（60PCS）。鑫多晶S2加上普通电池工艺效率能做到17.6％以上，我们用先进电池工艺在某欧洲电池制造商量产的数据是18.5

大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类单晶产品中最高。第二代类单晶除了在产品技术参数上做了提升
，目前多晶正在接近于单晶，鑫单晶G2加上常规电池工艺可以做到280W，我们用先进工艺还多10W，可以做到290W（60PCS）。鑫多晶S2加上普通电池工艺效率能做到17.6％以上，我们用先进电池工艺在某

有0.5%以上的效率增益，光率平均也要低1%，同时具有面积大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。 2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为
单晶产品开始走向成熟并为市场所接受。 对质疑最多的关于多晶效率问题，代冰表示：我不太认可单晶的输出功率比多晶要高，目前多晶正在接近于单晶，鑫单晶G2加上常规电池工艺可以做到280W，我们用先进工艺还多

主流组件输出功率。相较于以传统直拉法制得的单晶产品，这次发布的鑫单晶G2 有0.5%以上的额外效率增益，光衰平均低1%，同时，具有面积大、封装损失低等特点，是铸锭单晶技术取得的最新产品突破，进一步
丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。据悉，鑫单晶G2，加上原有的鑫单晶G1，高效多晶S1、S2、S3，配合不同的电池工艺，可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60

衰平均低1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破，进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。鑫单晶G2，加上原有的鑫单晶G1，高效多晶S1、S2
、S3，经过不同的电池工艺，可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品，在大获成功的高效多晶产品基础上，进一步增强了保利协鑫的市场影响力

有0.5%的额外效率增益，光衰平均低1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破，进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。鑫单晶G2，加上原有的鑫单晶
G1，高效多晶S1、S2、S3，经过不同的电池工艺，可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品，在大获成功的高效多晶产品基础上，进一步增强

0.5%以上的效率增益，光率平均也要低1%，同时具有面积大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类
认可单晶的输出功率比多晶要高，目前多晶正在接近于单晶，鑫单晶G2加上常规电池工艺可以做到280W，我们用先进工艺还多10W，可以做到290W（60PCS）。鑫多晶S2加上普通电池工艺效率能做到17.6

STP 305-24/Vd组件。额定功率为305Wp，效率高达 15.7%，该公司宣称，这款高效组件是旨在降低电力平准化成本的大型商业项目的理想之选。该款高效组件采用先进的铸锭工艺，将单晶硅硅片与
多晶硅硅片的优点融于一体。环保的生产工艺大大降低了硅片生产过程中的能耗，从而将碎片率降至最低并生产出高功率组件。这款72片/6英寸组件堪称是业内1956 x 992mm大尺寸规格中填充因子最高的组件之一

额外效率增益，光衰平均低 1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破，进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。鑫单晶 G2，加上原有的鑫单晶 G1
，高效多晶 S1、S2、S3，经过不同的电池工艺，可以制备从 250/300W(60/72PCS)到 290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品，在大获成功的高效多晶产品基础上，进一步增强