钝化接触
索比光伏网讯:为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置
，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。综合来看
: 忽略直接由半导体到主电极的电流，则接触电阻损耗仅仅是由于栅线电极所引起的，这部分功率损耗一般近似为 其中，c是接触电阻率。对于硅电池来说，在太阳光下工作时，接触电阻损耗一般不是主要问题。所以，主要
异质结、背接触技艺，单晶背钝化工法之横空出世更令行市刮目相看，其尤致单晶电池之性价比出类拔萃也。彼时，直拉单晶炉之单体产能已至昔时之三倍。单晶材料成本之降，兼多晶铸锭瓶颈之殇，令单晶组件与多晶组件
极限；SunPower藉背接触单晶技术，亦已逾23%之量产效率。单晶超强之发电效率，并金刚线切片致超薄硅片技术，终致单晶与多晶之成本差异步步紧缩，至电站终端，投资之本钱已无二致。
较于成本高昂之
逾23%之量产效率。单晶超强之发电效率，并金刚线切片致超薄硅片技术，终致单晶与多晶之成本差异步步紧缩，至电站终端，投资之本钱已无二致。较于成本高昂之异质结、背接触技艺，单晶背钝化工法之横空出世更令
，以单晶之利反哺多晶之存活，竟致单晶电池洛阳纸贵之市耳。公元2013年，松下电子工业凭异质结单晶技术，致光电转换效率达25.6%，破光伏产业界之最高理论效率极限；SunPower藉背接触单晶技术，亦已
，的确是慢了很多，这是行业技术发展必须面临的问题。然而，新的技术也不是没有，例如PERC(局部背钝化电池)、N型电池、IBC(背接触式)电池等对于效率的提升都很显著的，只是仍需要考量商业化生产的效益比
增速，的确是慢了很多，这是行业技术发展必须面临的问题。然而，新的技术也不是没有，例如PERC（局部背钝化电池）、N型电池、IBC（背接触式）电池等对于效率的提升都很显着的，只是仍需要考量商业化生产的
%的电站设备和工程成本，核算下来单多晶投资已经相差无几。
相对于成本较高的异质结、背接触N型单晶技术，背钝化电池工艺具有更高的性价比，它能够将普通的P型单晶效率提高1个百分点，而
光电转换效率，突破了光伏产业界最高理论效率极限，SunPower公司凭借背接触N型单晶技术也实现了23%以上的量产效率，人们再次评估各种技术的性能和成本区间。
进入2015年，各条
成本较高的异质结、背接触N型单晶技术，背钝化电池工艺具有更高的性价比，它能够将普通的P型单晶效率提高1个百分点，而多晶铸锭制成的电池效率仅能提高0.5个百分点，单晶优势进一步凸显。目前国内已有厂商大批量
，SunPower公司凭借背接触N型单晶技术也实现了23%以上的量产效率，人们再次评估各种技术的性能和成本区间。进入2015年，各条技术路线的优劣已经十分明晰，虽然单晶硅的每公斤生产成本仍高于多晶铸锭
成本较高的异质结、背接触N型单晶技术，背钝化电池工艺具有更高的性价比，它能够将普通的P型单晶效率提高1个百分点，而多晶铸锭制成的电池效率仅能提高0.5个百分点，单晶优势进一步凸显。目前国内已有厂商
，SunPower公司凭借背接触N型单晶技术也实现了23%以上的量产效率，人们再次评估各种技术的性能和成本区间。进入2015年，各条技术路线的优劣已经十分明晰，虽然单晶硅的每公斤生产成本仍高于多晶铸锭
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
