钝化接触
：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
SEM图像;h为钙钛矿界面异质结形成示意图;i展示Pb-Sn电池异质结的HAADF-STEM图像及EDX元素分布;j是钙钛矿表面分子钝化机制示意图;k比较对照组与PDA处理WBG薄膜的KPFM图像;l
最大化透明转换层对紫外光的吸收和利用;在工艺上，光子倍增材料可采用磁控溅射或溶胶-凝胶等技术与钝化层一起沉积，且背接触电池制造的高温退火可与光子转换层的热处理兼容。未来设想中，可将具有光子倍增功能的透明
晶硅太阳能电池由于带隙约为1.1 eV，其肖克利–奎塞尔(SQ)极限效率约为30%。当前世界纪录的背接触异质结电池效率已达27.3%，接近理论极限。然而常规单结电池存在严重的光谱失配损失：高能光子
转换效率达到27.02%，创造了大面积N型单晶钝化接触 （TOPCon） 电池转换效率新的纪录。同时，浙江晶科自主研发的N型TOPCon高效光伏组件经第三方权威机构TÜV南德测试认证，组件最高转换效率
达到了25.58%，创造了全球同类组件效率新的纪录。公告指出，这一引领行业的双纪录突破，源于公司深厚的技术积累和对创新的不懈追求。在电池端，公司率先开发出金属化激光增强、高品质发射极钝化及局域吸收钝化
;少子寿命更高等诸多优势，为电池提供了优质基底。晶澳的电池环节同步创新——运用高效n型钝化接触电池技术;优化电池结构，增强光线吸收;缺陷补偿，降低复合损失;将开压提升至749
mV，最终打造出
钝化。再到今年SNEC展会期间，经TÜV实测成功达成25.5%的TOPCon组件效率，创造新纪录。晶澳科技正在把组件效率通往30%+的路径起点与主干，做到最扎实、最领先。展会第一天，晶澳科技产品与
背面形成微米级“光陷阱”，可将红外光吸收效率提升0.3&-0.5%。纳米接触金属化技术则聚焦于降低电池内部的接触电阻，以纳秒激光诱导形成纳米级接触点，极大地降低了电子传输过程中的阻碍，接触电阻降低至
;采用局部Poly激光改质方案可使电流响应和钝化性能皆得到改善;钢板印刷则提升了栅线高宽比，使金属接触面积相应减少，改善金属复合。与此同时，激发TOPCon电池的高开压潜力同样关键，开路电压和电池
中，欧阳子博士指出，正面低掺杂硼扩技术、背面局部poly技术、先进印刷技术皆可以进一步提升TOPCon产品的发电效能。其中，低掺杂硼扩技术降低了正面接触对p+掺杂浓度的依赖，可使金属复合得到有效控制
企业的产品竞争力在业内处于领先地位。协鑫集成本次荣获“吉瓦级金奖”，得益于其基于BC(背接触)技术的GPC2.0高效组件的“硬实力”。近年来，协鑫集成通过钝化2.0技术升级，实现整体更优的基底钝化水平
持平，设备成本降低20%。叶继春强调，需加强原始创新能力，破解“集成创新易、原始突破难”的瓶颈。湖南红太阳光电提出的BC电池P区接触钝化方案成为焦点。其PECVD原位掺杂技术将P-Poly工艺时间压缩
至80分钟，接触电阻率达0.5-0.77Ω·cm²，实验室钝化性能指标直逼LPCVD技术。深圳捷佳伟创则展示激光图形化精度突破15微米，结合湿法清洗实现边缘钝化，解决BC电池工艺关键难题。工程中心技术
”到“部分引领”的跨越，但原始创新能力仍需加强，需通过“基础理论-工艺开发-装备协同”全链条突破技术瓶颈。红太阳光电则针对BC电池P区接触钝化提出三种解决方案，其中LPCVD设备通过温场优化、快速冷却
₂O₃层的厚度增加会显著减少氢的扩散。因此，在钝化层设计中引入Al₂O₃层，可以有效控制氢的分布。未来展望随着太阳能电池技术的不断发展，氢的管理将变得更加重要。例如，对于隧穿氧化物钝化接触
已报道钙钛矿太阳能电池的文献中，缺陷钝化的材料和元素很少提及氢(H)，也基本没有悬挂键的概念，而对于晶硅电池的缺陷钝化基本上指的就是氢钝化，PECVD/ALD等沉积过程引入的氢元素在硅太阳能电池
