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金属镀膜
采用全新的磁控溅射镀膜方式提高电池表面的导电性，并配合优化栅线设计，有效改善了细栅的导电性能，使电池片单片银浆耗量下降50%，G1硅片(158.75mm)制作的异质结电池银浆单耗可从150mg大幅降至
银浆、不再使用丝网印刷设备的电池技术，该技术是在ITO表面生长特定栅线图形的铜丝线，并在铜丝线表面生长覆盖锡合金金属，结合方形截面线形的特点，铜栅线可以轻易实现更大的高宽比，从而实现栅线导电率达到传统
防止电池同心圆、黑心片的产生;3)N 型硅料纯度要求较高，尤其要控制金属杂质含量，其检测电阻一般需大于 100cm 或者检测不出电阻率;4)硅料破碎程度要求较高，一般要求破碎尺寸在70 ㎜以下，避免
巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝印/电镀四道设备。目前国内试产及量产线基本实现了HJT设备的国产化替代，尤其通威股份1GW异质结
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
良好的镀膜工艺来降低界面复合改善TCO层及Ag接触性能。HJT电池10年衰减小于3%，25年仅下降8%。且电池温度系数小，能减少太阳光带来的热损失;
3)工艺流程更加简化，提效降本空间更大。相比
自工业革命以来，电子器件已融入到生产生活的方方面面，给人们的生活带来了诸多便利，并创造了无限可能。各行各业众多电子器件需要在低温条件下制备高质量的无机非金属薄膜，能实现此项要求的技术手段并不多，其中
。
HWCVD的工作原理是利用分子在加热的金属丝上发生催化分解反应，并在基底表面发生沉积、聚合，从而形成薄膜。因此HWCVD又被称为催化化学气相沉积(Cat-CVD)。如下图所示
HIT转换效率提升路径清晰，预计2025年HJT量产平均转换效率达26%+，HJT+钙钛矿中试线效率可达28%。按照目前HJT电池厂对HJT技术升级的规划，预计21年通过改变PECVD镀膜顺序、吸杂
将HJT电池量产效率提升到26%;25年通过HJT叠层钙钛矿中试线效率达28%，HJT量产线效率有望达26%+。
非晶硅镀膜工艺优化：提升钝化效果
HJT电池可获得较高的转换效率，非晶硅薄膜的钝化
上，放入一个金属的沉积 腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工 艺气体在两个极板之间的交流电长的作用下在空间形成等离子体，分解 SiH4 中的 Si 和 H，以及 NH3
电子在多晶硅层横向传 输被金属收集，从而降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
TOPCon 结构：电池基板以 N 型为主，使用一层超薄的氧化层和掺杂的薄膜硅钝化电 池的背面
、薄膜电池产品，支持等离子钝化技术、低温电极技术、全背结技术、专用吸杂工艺等先进技术研究与应用;鼓励金属穿孔卷绕背接触技术(MWT)、N型双面(BiFi)吸光技术等高效晶硅电池规模化生产;引导企业开展
沉积设备、物理气相沉积设备、卷绕镀膜设备等高性能太阳能电池与组件生产和测试仪器设备，以及光伏玻璃、低温银浆、封装胶膜、TPT背板材料等配套环节，加大招商引资、招才引智力度，推动产业链、供应链、创新链
、沉积镀膜与金属化技术进展 05. 超薄单晶硅片技术品质提升与降本路径 06. 靶材及其他辅材技术创新与供应链分析 07. 先进低温银浆、银包铜技术开发及进展 08. 铜电镀技术在异质结的应用优势
凝胶、碳气凝胶技术革新，降低气凝胶生产成本，扩大气凝胶在建筑节能、保温领域应用。重点开发低辐射镀膜玻璃、热反射镀膜玻璃等高档节能玻璃，加速产品优化升级。加快天津市生物基材料制造业创新中心建设，推进生物
发展高档数控机床、工业机器人、服务机器人、医疗制造装备、金属材料3D打印装备等，集成开发一批重大智能成套装备。
海洋装备。优化提升海洋油气及石油化工、海洋交通运输等优势产业，重点打造海洋工程装备制造
