金属氧化物

世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池
半导体材料上形成的，窄禁带半导体材料采用过渡金属Ru以及Os等的有机化合物敏化染料，大能隙半导体材料为纳米多晶TiO2并制成电极，此外NPC电池还选用适当的氧化一还原电解质。纳米晶TiO2工作原理：染料

煤炭质量，限制高硫份高灰份煤炭的开采与使用，提高煤炭洗选比例，推进配煤中心建设等。我们不仅要关注煤炭开发利用过程中的烟尘、二氧化硫、氮氧化物的污染，还要关注煤炭中重金属污染，包括选煤、洗煤、煤矸石、燃煤
产生烟气和煤渣中的重金属污染；关注煤炭矿区环境保护和生态建设，采煤沉陷区和影响区的生态综合治理、土地复垦等工作。此外，除在煤炭利用的全生命周期做好污染控制和污染处理外，还应积极推广整体煤气化联合循环

，各程序和环节存在着不同的混乱现象。徐所长说，值得欣慰的是，日前，中国建筑金属结构协会光电建筑应用委员会已经牵头组织国内50多家涉及技术、构件、材料等环节的企事业单位和专家编制了《光电建筑导则》。该《导
吨/年、氮氧化物减排量3.8吨/年。该项目的实施成果可直接服务于既有建筑节能与美化改造工作，对城市实现节能减排、美化城市形象具有重要意义。该项目的实施，可以为未来几年大规模的分布式光伏发电工程的建设

催化剂，通过光还原沉积和光氧化沉积发现BiVO4不同暴露晶面具有不同的氧化还原性质，实验中观察到贵金属的光还原沉积能够选择性地发生在{010}晶面上，而金属氧化物的光氧化沉积选择性地发生在{110
问题进行了不懈努力：通过构筑CdS/MoS2异质结取得比传统贵金属Pt负载的Pt/CdS光催化剂更好的分解水制氢活性(J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 7176-7177

国内面板市场30%的需求。更为重要的是，借助液晶面板行业的回暖，国内的几条高世代线刚刚投产就实现经营性盈利，而且在向低温多晶硅、金属氧化物等最新液晶技术的升级中也迈出了关键一步，至少在技术上国产面板
行业已经与对手差距越来越小，同时随着京东方建设的国内首条AM-OLED面板生产线即将投产，在OLED领域国内也赶上了国外同行的步伐。此外，由于液晶面板在金属氧化物技术上突破，其分辨率等参数要明显好于

反射和捕获光线的非凡能力。新电池的顶层(即窗口层)使用极精细金属网，金属厚度为30纳米，网孔直径为175纳米，间隔为25纳米。该金属网取代了以往由铟锡氧化物(ITO)材料制成的窗口层。该网格状窗口层与

光电子设备的操作至关重要，广泛用于高容量应用设备中，比如显示器、太阳能电池、智能传呼以及 LED 。诸如铟锡氧化物（ITO）等透明导电金属氧化物当前用于这一目的。然而，出于成本、产量以及性能方面的目的

主流制造方法是在约180m厚的晶体Si硅片上加工太阳能电池，在正面有Ag金属栅，背面完全覆盖Al-BSF。由于金属化（浆料、丝网）方面的进步，工业生产中似乎能达到18.5-19%的效率。下一步，我们
硅片-硅片间重复性是1.4%（1），而硅片内的不均匀性低至0.6%（1）。B注入避免了与B扩散和去除B-氧化物有关的难点。与硬掩膜结合也能使工艺步骤数显著减少，实现PERL和IBC电池概念中的局部掺杂区

透明的(2.3%的光可被吸收;97.7%的光可被传输)，这些都使它成为理想的候选材料，可用于光伏领域，超薄透明石墨烯膜就可替代金属氧化物电极。因此，它可能是一种很前途的替代材料，可替代铟锡氧化物(ITO

的均相分布的思路，增加光催化材料的可见光吸收。据了解，掺杂阴离子难以进入金属氧化物体相本质上是由M-O键的高键能以及掺杂离子与替代晶格离子间的电荷差异造成的。研究人员通过先期发展的掺杂剂与前躯体
、一个是砷化镓晶片技术、一个是高效的转换率。他同时介绍到，首先在一个临时的模板晶片上使用金属有机气相沉积工艺生产薄膜，然后将薄膜分离，并再次使用这个模板晶片，由此得到了极薄并可弯曲的薄膜，它可以做成任何