量子点

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苏州大学廖良生最新Nature:长程有序使量子点发光二极管保持稳定来源:钙钛矿太阳能电池 发布时间:2024-05-10 14:55:15

基于钙钛矿量子点的发光二极管(LED)的外量子效率(EQE)超过25%,并且具有窄带发射,但这些LED的工作寿命有限。钙钛矿量子点薄膜中较差的长程有序性(点大小、表面配体密度和点对点堆叠的变化)会
抑制载流子注入,从而导致工作稳定性较差,因为在这些LED中产生发射所需的偏压较大。鉴于此,2024年5月8日苏州大学廖良生于Nature刊发长程有序使量子点发光二极管保持稳定的研究成果,报告了一种化学

2024(第二届)钙钛矿材料与器件产业发展论坛 ——探索 ·创新 · 光伏新势力来源:DT新材料 发布时间:2024-05-07 16:20:16

要求6 、光伏胶膜(POE 胶膜、EPE 胶膜、EVA 胶膜)、 光伏靶材主题四:钙钛矿光电材料与器件1 、钙钛矿光转换材料与器件2 、钙钛矿量子点技术3 、钙钛矿发光二极管应用4 、钙钛矿探测器五、 日程安排(第一版日程,实时更新)六、注册费用七、详情咨询夏经理:15314534371

郑州大学宋继中教授AM:蓝光钙钛矿QLEDs新突破来源:知光谷 发布时间:2024-04-23 10:20:43

金属卤化物钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)在新一代照明和显示领域极具应用前景。目前,绿光和红光钙钛矿QLEDs的外量子效率(EQE)已经超过26%,但是蓝光钙钛矿QLEDs的性能远落后于绿光

太阳能光伏组件的进化论:从晶体硅时代到新型材料时代的跨越来源:光伏网整理 发布时间:2024-04-11 14:47:12

钙钛矿、染料敏化、量子点和有机光伏等,以其低成本、简单工艺和高转换效率的潜力而受到关注。研发阶段:目前,这些新型组件大多处于实验室研发和部分量产阶段,但已展示出巨大的发展潜力。二、太阳能光伏组件的分类及

家庭光伏发电系统的创新技术与趋势来源:光伏网整理 发布时间:2024-03-28 16:59:09

家庭光伏发电系统的有效运行提供了强有力的支持。新型太阳能电池技术,比如钙钛矿电池和量子点敏化太阳能电池的问世,极大地提高了光电转换效率。这些技术的运用不仅增加了家庭光伏发电系统的发电产量,还减少了系统

2024(第二届)钙钛矿材料与器件产业发展论坛来源:DT新材料 发布时间:2024-03-06 14:51:07

设备研发进展13 、环保挑战与解决方案主题二:钙钛矿叠层电池与钙钛矿量子点1. 高效稳定的叠层电池的构建策略2.叠层技术与各类底电池对比选型、结构设计与技术潜力3.钙钛矿叠层电池的整线技术解决方案4.
钙钛矿量子点太阳能电池的制备及其光电转化增强研究5.钙钛矿叠层仿真与实验探究主题三:组件与应用场景1 、钙钛矿与叠层电池在 BIPV 市场、车载光伏市场的应用案例与潜力分析 2 、钙钛矿光伏电池

Nat. Energy全面解读:认证18.06%!高效稳定的钙钛矿量子点太阳能电池来源:知光谷 发布时间:2024-01-30 15:36:34

(QSS)PCE为18.1%,超过了许多报道的基于量子点的太阳能电池,并具有较高的稳定性。一、钙钛矿胶体量子点的优势与前景胶体量子点(CQDs)因其独特的光电特性而引起了大量的研究兴趣。最近,铅卤
钙钛矿薄膜那样主要依赖二甲基甲酰胺进行处理。二、成果简介虽然基于铅卤钙钛矿的胶体量子点(PQDs)已成为太阳能电池中具有前景的光活性材料,但迄今为止的研究主要集中在无机阳离子PQDs上,尽管有机阳离子

Nat. Photonics中科大崔林松教授:21.4%!低维钙钛矿蓝光LED新突破来源:知光谷 发布时间:2024-01-29 10:51:56

为129分钟。这些蓝光钙钛矿LEDs的性能接近于最先进的蓝光有机LEDs和无机量子点LEDs,并提供了一种设计多功能分子以提升钙钛矿光电器件性能的新方法。

极电光能 | 以自主知识产权打造钙钛矿时代的“金钥匙”来源:极电光能 发布时间:2024-01-10 18:45:22

、高性能量子点合成技术、量产工艺与装备技术等钙钛矿产业化相关的技术进行了全方位的布局,形成了多个高价值专利组合。公司专利申请和授权数量逐年攀升,截止2023年底,累计专利申请330余项,其中发明专利占

AM:纪录效率!FAPbI3量子点太阳能电池来源:知光谷 发布时间:2023-12-07 10:48:28

纯相α-FAPbI3量子点(QD)因其优异的环境稳定性、大吸收系数和长载流子寿命而成为光伏领域日益关注的焦点。然而,配体交换过程引起的陷阱态限制了光伏性能。西北工业大学黄维院士、宋霖和慕尼黑工业大学
Peter Müller-Buschbaum等人开发了一种使用硫氰酸甲胺(MASCN)的简单后处理来重建FAPbI3-量子点薄膜表面,其中在薄膜顶部形成厚度为6.2 nm的MAPbI3覆盖层