选择性发射极
，不论是双层网印技术(double printing)、选择性射极(Selective Emitter)、发射极钻孔卷绕(Emitter Wrap Through;EWT)、金属贯穿式背电极
转换效率每提升绝对值1%，光伏发电系统总成本下降7%左右。选择性发射极（SE）技术是高效太阳能电池的主流方向之一，国内外同行业也有多家公司在研发SE电池技术。但晶澳公司研发的赛秀技术以成本低、易于产线匹配的
不断加大科研投入，通过自主研发，技术实力逐步增强。目前，公司已熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射、太阳能电池背场、选择性发射极扩散
专利９项。其中，报告期内获得国家发明专利三项，分别为：一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，太阳能电池硅片清洗剂及其使用方法，一种用于制备单晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法；这些发明专利的取得
索比光伏网讯:所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高
接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。为了同时兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要，选择性发射极电池是比较理想的选择，即在电极接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。传统
:00-18:00 地点：上海卓美亚喜玛拉雅酒店，蝶宴会厅 前沿科研成果(如选择性发射极、离子注入、背接触等等)中国国际光伏技术大会日期: 2012年3月21～22日 时间: 8:00–17:00 地点
电子级多晶硅生产线；支持高效率、低成本、大尺寸铸锭技术，重点发展准单晶铸锭技术，突破150-160微米以下新型切片关键技术；重点支持低反射率的绒面制备技术、选择性发射极技术及后续的电极对准技术
、选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。（四）薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结
15种不同类型的电池，如图1所示。即使是最常被提到的，统称为选择性发射极的技术，根据其生产线前段或后段的不同选择也分为多种不同的类型。因此，现在就认定大部分一线电池厂商会采取某种技术路线可能还为
时过早。在2011年，一线电池厂商超过75%的生产仍采用过去十年来主流的工艺。在未来的12到18个月里，各种第2代高效电池概念（包括所有选择性发射极）的进展将成为更有用的领先指标。 图二、2011年一线
电池，如图1所示。即使是最常被提到的，统称为选择性发射极的技术，根据其生产线前段或后段的不同选择也分为多种不同的类型。
因此，现在就认定大部分一线电池厂商会采取某种技术路线可能还为时过早。在2011
年，一线电池厂商超过75%的生产仍采用过去十年来主流的工艺。在未来的12到18个月里，各种第2代高效电池概念（包括所有选择性发射极）的进展将成为更有用的领先指标。
图二、2011年一线晶硅电池
不同类型的电池，如图1所示。即使是最常被提到的，统称为选择性发射极的技术，根据其生产线前段或后段的不同选择也分为多种不同的类型。因此，现在就认定大部分一线电池厂商会采取某种技术路线可能还为时过早。在
2011年，一线电池厂商超过75%的生产仍采用过去十年来主流的工艺。在未来的12到18个月里，各种第2代高效电池概念（包括所有选择性发射极）的进展将成为更有用的领先指标。图二、2011年一线晶硅电池
