表面钝化
青睐。他们提出了一种简易的双面掺杂(正面BBr3热扩散，背面P离子注入)及薄层Al2O3(~4nm)/SiNx:H (~75nm)的复合膜层钝化p+发射极的方法，经优化峰值烧结温度及精细丝网印刷后，在
, DOI: 10.1002/pip.2881】。通过湿法化学、共扩散、离子注入及退火氧化、激光图形化和PECVD等工艺，在电池前驱体上实现优越光学表面(平均反射率2.5%)和较高impliedVoc
有表面损伤少、洁净度高、几何参数优、机械不良率低等特点，切割过程也更加环保，品质控制更加优秀。
但是相比单晶硅片而言，金刚线切割的多晶硅片在电池端的制绒环节遇到了困难。在此背景下，黑硅技术又应运而生
。针对金刚线切多晶硅片表面损伤层浅、反射率高等问题，黑硅技术可以解决硅片的绒面难题，并大幅提升电池端转化效率。业内预测，国内主流电池片厂商对黑硅技术的研发已经成熟，2017年将开始量产，并且随着金刚线
%。此外，还具有表面损伤少、洁净度高、几何参数优、机械不良率低等特点，切割过程也更加环保，品质控制更加优秀。但是相比单晶硅片而言，金刚线切割的多晶硅片在电池端的制绒环节遇到了困难。在此背景下，黑硅技术又
应运而生。针对金刚线切多晶硅片表面损伤层浅、反射率高等问题，黑硅技术可以解决硅片的绒面难题，并大幅提升电池端转化效率。业内预测，国内主流电池片厂商对黑硅技术的研发已经成熟，2017年将开始量产，并且随着
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者
的前电极输出到外电路，驱动负载运行。
图1 n-PERT双面电池(a)和单面电池(b)的结构示意图
如图1(a)所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
发射极上面的前电极输出到外电路，驱动负载运行。如图1（a）所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型硅、磷掺杂背场（BSF）、背面减反射膜和背面电极。n-PERT
狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
诱发衰减效应（PID，Potential Induced Degradation）是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化
展为碎片。3.蜗牛纹：蜗牛纹是指太阳能电池单元（发电元件）表面上出现黑色或者白色线状图案的现象。因为看起来像是蜗牛爬过之后留下的痕迹，俗称蜗牛纹。产生原因：主要由三个条件引起，即发生裂纹、水分渗透和阳光
关键是设备和运行成本。2.表面钝化技术对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的光学损失分析和光学减反设计显得尤其重要。在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能
的产品。参与光伏“领跑者”计划引领行业新标准晶科能源自成立来，每年投入研发经费快速增长，2016年达6.7亿，形成了以技术中心为核心的创新体系。晶科能源通过低反射背表面钝化电池的应用，结合高陷光低电阻
推动技术创新以降低成本，使政府支持可以随着时间的推移而减少。在效率上迈进在MITPVLab和世界各地，太阳能的转换效率已经取得了重大进展。一种特别有前景的技术是钝化发射区背面电池(PERC)，其基于低成本晶体硅
，它们失去能量并落入价带。随时间的电导率变化反映出样品中电子的平均寿命。定位和缺陷表征为了解决PERC太阳能电池的性能问题，研究人员需要弄清楚模块中的主要缺陷所在，包括硅表面、铝背衬和材料之间的各种
