表面钝化

解决好黑硅表面钝化难题，使得湿法黑硅技术一直停留在实验室阶段。东方神力近两年，基于硅片厂家对金刚线切片技术导入的预期以及电池、组件技术的快速发展，干法黑硅RIE技术又逐渐进入行业视野。干法黑硅目前主要
材料提效，近一年，则是以黑硅技术为代表的硅片表面提效。面对多晶的发展趋势，业内人士这样总结。黑硅技术的成熟，推动金刚线的迅速扩张，加上背钝化技术的匹配，无疑给多晶注入一针强心剂。多位业内专家都表示，未来

以黑硅技术为代表的硅片表面提效。面对多晶的发展趋势，业内人士这样总结。黑硅技术的成熟，推动金刚线的迅速扩张，加上背钝化技术的匹配，无疑给多晶注入一针强心剂。多位业内专家都表示，未来五到十年内，在包括
成本优势稳居市场主流地位，多晶硅片转换为金刚线切割来更进一步降低成本已到了非做不可的时机，但金刚线切割多晶硅片，采用常规酸制绒无法实现良好的表面织构，甚至无法形成绒面。黑硅技术可以完美解决多晶制绒问题

栅电池效率达到23.45%。这一数据再次打破了P型单晶电池效率的世界纪录。2006年用于对P型PERC电池的背面的钝化的AlOx介质膜的钝化作用引起大家重视，使得PERC电池的产业化成为可能。随后随着
月以来第二次打破此项世界纪录。此次破纪录的太阳能电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片，将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在PERC技术框架下，电池效率达到了22.04%。该结果已获得德国

材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，但此衰减是可逆的。也有研究发现并对PID效应作出解释
原因是：光伏组件的边缘部分容易有水气进入，EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na离子，会与电池片表面的银栅线发生反应，从而腐蚀电池栅线，导致串联电阻的升高，导致

表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，但此衰减是可逆的。 也有研究发现并对PID效应作出解释：光伏组件在受到负偏压时，由漏电流阳极离子（一般为Na离子
Degradation，即电势诱导衰减。 2005年美国SunPower公司首次发现并提出PID效应，指组件长期在高电压工作，在盖板玻璃、封装材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片

，Stuart从理论上和实验上对晶体硅埋栅电池做了系统的研究，采用激光开槽和机械沙轮开槽等技术开发了埋栅电池的制造工艺，包括：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和

。保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承
绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦；同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备