表面钝化

的引导。 单多晶性价比反转原因1：PERC技术拉开单多晶效率差与合理价差 PERC电池片制作仅需增加背钝化与激光开槽工序，与存量电池产线兼容，且效率提升明显，但PERC技术对单晶电池的提效幅度显著
应用于多晶时产生的工艺和硅片表面物理特性障碍，直到2017年黑硅技术应用后才开始规模化导入，2018年才基本实现对砂浆切割的替代。金刚线切割使单晶硅片成本下降0.6-0.8元/片。2015-2017年

Lett.,2020, 20, 1240-1251。 为了进一步解决器件中载流子传输层存在的稳定性问题，团队设计合成了一种小分子界面材料MSAPBS用于SnO2界面缺陷钝化。通过与美国西北大学Tobin
J. Marks教授课题组的合作，将该类界面材料引入到经典平面异质结结构钙钛矿太阳电池中，自下而上地钝化了器件前界面和钙钛矿吸收层的体相缺陷态，抑制了器件的迟滞效应，显著提升了器件的光电转换

日前从河北大学获悉，该校物理学院光伏技术课题组青年教师陈剑辉博士等人经过努力探索，克服高温和真空重装备的技术障碍，不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向，给未来进一步降低硅太阳电池制造成本提供了科学
。据悉，陈剑辉等人早在2017年就已发现带有磺酸基团的聚合物薄膜具有高质量的钝化效果，为晶体硅表面钝化探索出一条低成本技术路线，同时也开辟了晶体硅表面钝化领域一个新的研究方向新型聚合物钝化技术

3月12日从河北大学获悉，该校物理学院光伏技术课题组陈剑辉等人经过努力探索，不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向，为太阳电池提供新的低成本技术路线，克服高温和真空重装备的技术障碍，给未来进一步降低
具有高质量的钝化效果，为晶体硅表面钝化探索出一条低成本技术路线，同时也开辟了晶体硅表面钝化领域一个新的研究方向新型聚合物钝化技术。 最近，陈剑辉等人又发现低维导电材料可以很好地结合有机钝化技术，实现

钝化制备的黑硅PERC 多晶太阳电池，WT-2000 测得其少子寿命达到33 s;开路电压提升了15.2 mV，短路电流提高了0.372 A，效率达到20.06%。 01实验准备及制备流程
，硅片表面相对平整，抛光效果较好。 背抛光后硅片背面反射率为47%～50%，比常规刻蚀后的背面反射率高15% 左右，如图2 所示。由于短波段(500 nm) 在硅片表面 1 m深度内会被吸收，所以

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子隧穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果

。 3代异质结电池属性各方面领先现有电池。 异质结电池作为第 3 代电池，具有 结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等 优点，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向
之一。异质结电池的核心特点 就是高开路电压，这来自于构成其 PN 结的材料是不同种类的，理论上就比同质结电池的电压要高。但其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化，对设备、工艺、环境、操作水平等要求非常高

钙钛矿电池取代的话，电费就相当便宜了。 陈永华说，稳定性的研究目前主要集中在钙钛矿薄膜的钝化上，创新性的突破仍没有实现。他认为，除了钙钛矿活性层本身，其余功能层的设计及器件的封装技术，还需要全链条
效率高达20.9%。 朱瑞表示，反式器件的一个主要优势是可以更好地与硅电池结合，可以做在硅的表面上，最终使整个器件实现超过30%的光电转换效率。 朱瑞还为记者描绘了一幅探索中的发展图景钙钛矿