薄膜制备

制备工艺仅需四步，非晶硅/TCO 薄膜沉积设备壁垒较高 HIT 的工艺流程主要包括清洗制绒电池正反面沉积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜电池正反面沉积 TCO 薄膜印刷烘干。 制绒清洗环节：常用

半导体材料，将叶绿素及其衍生物作为主要素材制备新型太阳能电池，既可以实现廉价可再生自然资源的有效利用，又可以通过模仿天然体系的光能转化过程，实现潜在的高光电转换效率。 最初科学家只是简单地将生物体中的
，相辅相成 王晓峰说，在他们的太阳能电池中，作为原料的人工叶绿素衍生物是将广泛存在于自然界中的叶绿素原料进行简单的化学修饰获得。 电池的制备也相对简单。叶绿素衍生物经过抽取和提纯后，溶于有机溶剂中

沉积)两种方法。 RPD(反应等离子体沉积)技术主要由日本住友重工掌握，其设备匹配自己生产IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，其采用蒸发镀膜对衬底轰击较小，IWO薄膜电学性能明显优于
PVD 制备的ITO薄膜。RPD 制备下的异质结电池总体比PVD约有0.5~1%的效率优势。松下公司采用的就是RPD工艺。住友重工持有RPD设备与IWO靶材两项专利技术，限制了该技术的发展。国内

电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂
IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%。资料显示，SunPower量产效率达25%，LG量产效率达24.5%。 国内天合光能一直致力于

光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中光伏薄膜电池用靶材主要为方形板状，纯度要求一般在 99.99%(4N)以上，仅次于半导体用靶材。目前制备薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶

本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03 物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04 丝网印刷机 正面金属电极制备

非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面金属电极制备 退火 测试和分档

轴承、叶片、齿轮箱等关键零部件和配套设备制造;发展高效薄膜电池、光伏逆变器、高性能平板集热器和高效晶硅电池、薄膜电池成套生产设备;加快推动氢燃料电池高性能电堆国产化，发展固体氧化物燃料电池及其分布式发电
单晶电池PERC技术、CdTe等化合物半导体薄膜电池技术、薄膜电池集成应用技术(BIPV)以及逆变器、智能组件等关键技术的创新，加强核心工艺设备的自主研制和生产。探索等离激元效应对光能新利用的技术

非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面

性价比提升超越 PERC，则有望激发现有产 线改造需求，延长现有产线生命周期，建议积极关注后续产业化进展。 3)HJT 电池： HIT 工艺步骤简单，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜制备和
等离子体能量分布相对集中且离化率更高，高能离子较少，表现出低离子损伤的优良特性。同等条件下，RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好1。此外