薄膜制备
电流。
根据半导体材料的不同，可以将太阳能电池分为晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。晶硅电池可分为单晶硅电池和多晶硅电池，其中单晶硅电池又分为P型电池和N型电池。目前应用最为广泛的单晶PERC电池即为P
型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升了电池的开路电压和短路电流，提高电池效率。
1)LPCVD是
钙钛矿光伏组件的商业化进程依然面临诸多挑战，其中可量产化制备以及组件中互连结构的长期稳定性是产业化的关键瓶颈。要实现全钙钛矿叠层组件的量产化制备，首先需要解决宽带隙钙钛矿薄膜大面积均匀制备的难题
，CTAM)的研究人员开发了一种新型石墨烯薄膜，这种薄膜可以吸收90%以上的太阳光，同时消除了大部分红外热发射损失，这是该项壮举的首次报道。
这是一种高效的太阳能加热超材料，能够在开放环境中以最小的热
损失快速加热到83摄氏度(181华氏度)。该薄膜的拟议应用包括热能收集和储存、光热发电和海水淡化。
CTAM创始董事贾宝华教授表示，在吸收太阳光的同时抑制热辐射损失(也称为黑体辐射)对于高效的
。
(2)在HJT太阳电池技术方面。多个研究单位对TCO薄膜进行了大量的研究。首先隆基公司介绍了其在无铟HJT太阳电池方面的进展，采用AZO替代ITO制备出的HJT太阳电池效率达到25.4%，为该种
CdTeSe太阳电池的制备，第三方认证转换效率达到20.2%;中国科学技术大学和武汉大学使用水热法制备出的硒硫化锑薄膜太阳电池，取得了10.7%的转化效率;中南大学报道了其使用全溶液法制备的硒化锑薄膜太阳电池
新能源领域，太阳能取之不尽，用之不竭。目前，以第一代晶硅太阳能电池为主的光伏技术已经趋向饱和，效率和生产成本方面难以获得进一步的发展。钙钛矿太阳能电池作为第三代薄膜太阳能电池中的翘楚，光电转换
效率高、生产成本低同时具备大规模溶液法制备的潜力，有望成为光伏产业发展的下一个突破口。
在过去十年中，钙钛矿太阳能电池光电转化效率取得快速的发展，从3.8%增加到25.6%，已经接近晶硅太阳能电池;同时基于
。
核心工艺：制备背表面叉指状 P+与 N+区以及背面金属化是关键
对于 IBC 电池而言，背表面的叉指状 P+与 N+区结 构是影响电池性能的关键。一般而言，IBC 背面可采用印刷源浆、光刻
、离子注入、激光掺杂等方式制备叉指 状 P+区与 N+区。同时，就背面金属化方面，IBC 电池主要采用丝网印刷、铜蒸镀两种方式。
①印刷源浆方式具有成本优势，但是容易造成电池表面缺陷，掺杂效果较难
钙钛矿主要是Ruddlesden-Popper(RP)相结构，但该类薄膜具备了很强的层间氢键作用，使得载流子传输受到抑制。为此，研究人员通过分子工程设计制备出以二价铵作为间隔阳离子的DJ相2D钙钛矿，其
钙钛矿薄膜作为活性层制备电池器件并测试电化学性能，实验发现电池性能从无2D钝化的22%显著提升到了24.7%;更为关键的是长程稳定性研究显示，无封装的电池在一个模拟标准太阳光、40℃氮气氛围下连续工作
另一重要原因。HJT电池是目前工序最少的电池技术，仅为4道：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和电极制备，PERC电池则需要8道工序。 布局良机显现 中国证券报：海源复材布局HJT电池领域的原因
，电耗偏高。而PECVD，凭借良好的质量和稳定性成为主流非晶硅薄膜沉积设备，特别在制备氢化非晶硅方面。
板式PECVD通过微波或射频波使腔室内的反应气体分子电离，形成的高化学活性等离子体，在基片表面发生
了8000片/小时，未来有望提升至10000片/小时，可进一步降低TCO成本;RPD设备方面，国产RPD设备每小时产能达到5500片，还在进一步提高。
制备良好的TCO膜，需要合适的薄膜材料。这种薄膜材料
成核速度。聚乙烯吡咯烷酮的引入，实现了电池多次自修复(图2)，显著提升了电池的工作寿命，并使得钙钛矿薄膜缺陷减少，晶粒增大，提高了电池的光电转化效率。
研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金
吡咯烷酮与MAI摩尔比为1:1混合制备的MAI、聚乙烯吡咯烷酮的FTIR光谱，箭头为C=O和CH3的伸缩振动峰;(f)不同浓度聚乙烯吡咯烷酮溶液下钙钛矿膜的XRD谱图;(g)含有和没有聚乙烯吡咯烷酮的O
