薄片化

：SunPower的IBC电池和Panosonic的HIT电池，两者均能获取24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好，没有光致衰减效应。HIT工艺步骤简单，而IBC电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高

Panosonic 的HIT 电池， 两者均能获取24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好， 没有光致衰减效应。HIT 工艺步骤简单，而IBC 电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N 型硅片需求将

24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好，没有光致衰减效应。HIT工艺步骤简单，而IBC电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N型硅片需求将持续上升：不管市场最终选择了何种技术作为高效

Panosonic 的HIT 电池，两者均能获取24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好， 没有光致衰减效应。HIT 工艺步骤简单，而IBC 电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N 型硅片需求

大于10GW的速度增长。 主流多晶硅片厂商、组件厂商从技术角度上都不否认单晶良好的发展前景，在成本方面：随着单晶生长发展、金刚线薄片化普及与单晶电池转换效率不断刷新，摊薄每W成本，单晶竞争力优势越发明朗化

提高光伏组件的转换效率。现今国内光伏累计装机容量已超过28GW，并以每年大于10GW的速度增长。主流多晶硅片厂商、组件厂商从技术角度上都不否认单晶良好的发展前景，在成本方面：随着单晶生长发展、金刚线薄片
化普及与单晶电池转换效率不断刷新，摊薄每W成本，单晶竞争力优势越发明朗化，越来越多的光伏制造企业会提高单晶份额，布局单晶市场，单晶电池组件必将引领高效光伏市场的发展。2014年来，台湾、韩国等主流

相对多晶电池的发电效率优势；多晶铸已经遭遇技术天花板，每公斤单位成本下降空间有限，在金刚线切片领域找不到突破点，薄片化已被单晶拉开差距。 此时，唯一的研发方向是提高多晶电池发电效率
新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年60%以上的速度扩产，迅速满足了全球光伏市场爆发式增长的需求

，主流单晶电池企业通过各种新技术的应用进一步扩大相对多晶电池的发电效率优势；多晶铸已经遭遇技术天花板，每公斤单位成本下降空间有限，在金刚线切片领域找不到突破点，薄片化已被单晶拉开差距。此时，唯一的研发
全球累计光伏装机突破1GW，其后以每年40%左右的速度增长，2004年新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年

，另一方面，主流单晶电池企业通过各种新技术的应用进一步扩大相对多晶电池的发电效率优势；多晶铸已经遭遇技术天花板，每公斤单位成本下降空间有限，在金刚线切片领域找不到突破点，薄片化已被单晶拉开差距。此时，唯一的
全球累计光伏装机突破1GW，其后以每年40%左右的速度增长，2004年新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年

国内光伏累计装机容量已超过28GW，并以每年大于10GW的速度增长。主流多晶硅片厂商、组件厂商从技术角度上都不否认单晶良好的发展前景，在成本方面：随着单晶生长发展、金刚线薄片化普及与单晶电池转换效率
不断刷新，摊薄每W成本，单晶竞争力优势越发明朗化，越来越多的光伏制造企业会提高单晶份额，布局单晶市场，单晶电池组件必将引领高效光伏市场的发展。2014年来，台湾、韩国等主流电池厂商扩产几乎100%选择