薄晶体
电池之间建立串联连接结构非晶硅薄膜太阳能电池简目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池受上游晶体硅材料供应的短缺，导致
越来越多的晶硅太阳能电池生产设备产量不足，不断上涨的晶硅价格也限制了晶硅太阳能电池的发展。仅以硅原材料的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10～12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产
5.2亿元，增发摊薄后增厚EPS约0.60元;12年保守估计切割钢丝产量达12200吨，则贡献收入12.7亿元，增发摊薄后增厚(摊薄13%左右)EPS达1.4元左右;预计公司10-12年EPS为0.39元
工序是最主要的，其中烧结是使晶体硅基片真正具有光电转换功能的至关重要的一步。因此，烧结设备的性能好坏直接影响着电池片的质量。太阳电池片目前采用只需一次烧结的共烧工艺，同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银
原子数目也越多，这时的状态被称为晶体电极金属的合金系统。如果此时温度降低，系统开始冷却形成再结晶层，这时原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延
比较多，占全球太阳能电池总量的98%，而晶体硅太阳能电池又占其中的80%以上。国内应用是多晶硅、单晶硅所组成的太阳能电池片上，在国内，据我了解，现在一些应用在大城市的建筑上比较少，主要还是核电站、发电站
，如果毁坏绒面，唯一方法是回炉再造，要么重新把表层磨去一层，从效率来说，硅晶片转化效率和使用率跟片子厚薄没有关系，对于厂家来说，当然切的越薄越好，在线切割条件下，光电转化效率最多的达到16-17，好的
上来说，硅基太阳能电池应用的比较多，占全球太阳能电池总量的98%，而晶体硅太阳能电池又占其中的80%以上。国内应用是多晶硅、单晶硅所组成的太阳能电池片上，在国内，据我了解，现在一些应用在大城市的建筑上比较
，一旦片子制绒，绒面一生成，无论好坏已经定型，如果毁坏绒面，唯一方法是回炉再造，要么重新把表层磨去一层，从效率来说，硅晶片转化效率和使用率跟片子厚薄没有关系，对于厂家来说，当然切的越薄越好，在线
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术
复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合。这种电池的转换效率在AM1．5下为22.3％。
（3）德国Fraunhofer太阳能研究所的深结局部背场电池（LBSF
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合
方便从实验室转换到生产线上。在HIT太阳能光伏电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接
效果当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米时，电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在而变差，这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅
用于IGBT和高效太阳能电池;另外公司蓝宝石晶体炉研发也已基本完成,主要用于生产4-6英寸晶棒并用于LED衬底材料。两项产品目前均被国外企业垄断,公司预计新产品2012年即可开始销售,将为公司未来成长开创
年销售收入12.68亿元,利润总额3.20亿元。建议询价区间为35.00-40.00元。我们对公司2011-2013年的全面摊薄EPS预测为2.18元、2.51元和3.27元。参照目前行业的估值水平,我们给予公司
太阳电池技术正朝着高效率、稳定和长寿命的方向努力。相关内容包括：效率20％以上低成本超薄晶体硅电池产业化制造技术，效率10%以上薄膜电池产业化制造技术，高倍率聚光电池及发电关键技术，柔性衬底硅基薄
。光伏电池生产主要集中在中国、日本、德国、美国等国家，德国、西班牙等国为主要应用市场。晶体硅太阳电池市场份额超过85%，其商业化最高效率已经达到22%，技术向着高效率和薄片化发展，未来10-20年内仍将
