薄晶体薄膜

生明显的电性能衰减。1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年
A.Herguth等人发现在一定的温度和光照条件下，可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态，在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。而掺磷的N型晶体硅中硼含量极低，本质上消除了硼氧对的影响，所以

形成完美的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰科学家们的难题。赵建华团队的潘东等研究人员利用分子束外延技术，首先在Si（111）衬底上生长
晶等缺陷。其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2

期间，石墨烯产业将逐步形成电动汽车锂电池用石墨烯基电极材料、海洋工程用石墨烯基防腐涂料、柔性电子用石墨烯薄膜、光电领域用石墨烯基高性能热界面材料在内的四大产业集群，全行业产业规模有望突破千亿元。的确
，石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料，常温下其电子迁移率超过15000cm2/Vs，又比纳米碳管或硅晶体高，而电阻率只有10E-8m，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料，应用其优异特性应该是

征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜，形成n-型硅和非晶硅异质结结构（HIT）太阳电池。非晶硅（a-Si：H）材料的带宽在1.7eV左右，远大于晶体硅1.1eV的带宽，因此此种HIT电池结构对于电池表面
虽然晶硅光伏已经占据了光伏市场的绝大部分份额，但其即使研发并没有停滞下来。作为研发最新方向的高效晶体硅太阳能电池技术，目前基本已经有商业化的产品问世。下面我们就来盘点一下这几款已经商业化的高效晶体

%转变成电能的太阳辐射都通过其实现。晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是

%转变成电能的太阳辐射都通过其实现。 晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是

太阳辐射都通过其实现。晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是从那个时候开始

索比光伏网讯:当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面
规模化生产的湿法腐蚀（酸或碱性腐蚀）技术，团队在20m厚度薄膜硅衬底上按照设计尺寸成功制备出纳米柱、纳米金字塔（或倒金字塔）、纳米铅笔等特征纳米光子晶体绒面结构，并获得了全波段接近光学吸收极限的陷光效果

光伏电池的光电转换效率不断提升，经过100多年的发展达到了目前量产效率17%~20%、实验室效率25%以上的水平。在电池种类上，晶体硅电池（单晶、多晶）、薄膜电池（非晶硅、铜铟镓硒、铜锌锡硫）、染料敏化
大规模生产的另一重要因素就是制造成本的快速下降，一方面得益于制备工艺与技术的进步，另一方面得益于规模扩张致使的成本摊薄效应。在技术路线上，从上游晶硅的制造到中游光伏电池的制备再到下游光伏系统的集成