背膜

，制作过程中遇到很多困难，如大量的三角形电池片的设计与制作，宽幅太阳能背膜TPT的拼接，运输包装特殊制作等。 　　 组件支撑系统的设计。尚德太阳能电力有限公司系统工程部根据国家体育场安检棚100kW

阳能为例，基于3M45个核心技术平台，已经有50多个解决方案可应用于太阳能的生产，而3M在太阳能领域将主要提供电池组件背膜、聚光发电系统、太阳能模组封装材料、表面涂层等产品和技术

技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路
、钝化膜激光开孔、激光刻边技术，甚至用激光技术实现选择性扩散等。 干法刻蚀技术应用在多晶硅制绒方面，能有效降低表面反射进而提高电池效率，是很有发展前途的工艺技术之一，已有多家厂商正在开发

官方认证机构——产业技术综合研究所的检验。 京瓷使用“背接触（back-contact）”新型电极构造实现的18.5％，是此前多晶硅太阳能电池单元转换效率的最高值。此次三菱电机表示，使用标准电极
构造也能实现超过使用背接触构造时产生的转换效率。 三菱电机提出了2010年度将年产量提高至500MW的目标。该公司计划在2010年度以后，将实现此次全球最高值的关键技术——“蜂窝构造”用于量产

。 　　京瓷使用“背接触（back-contact）”新型电极构造实现的18.5％，是此前多晶硅太阳能电池单元转换效率的最高值。此次三菱电机表示，使用标准电极构造也能实现超过使用背接触构造时产生的
，每个150mm见方的电池单元就可提高0.4W的输出功率。这样，由50个电池单元排列而成的模块，其输出功率就可提高20W。 　　要形成“蜂窝构造”，就需要在150mm见方的电池单元表面形成的氮化硅膜上

、运输成本低、安装方便等优点。晶硅太阳电池组件的单瓦重量为0.18公斤，而CIGSSe薄膜太阳电池组件单瓦重量只有0.11公斤。CIGSSe薄膜太阳电池组件辅助材料供应充足，晶体硅电池背膜TPT由于有
美国杜邦的专利限制，国内没有生产，市场供应紧张，价格畸高。CIGSSe薄膜太阳电池组件不使用TPT背膜，同时EVA胶膜的使用量也降低一半，即降低了成本，又规避了原料紧缺问题。 　　有效市场需求旺盛潜力

专门设计并实现的电池接触，并结合以等离子体粗糙处理的表面。 　　大多数适用于多晶硅太阳能电池的高温衬底都是绝缘体，所以必须开发新的金属接触方案以避免使用背接触。考虑到制造模块的低成本性，最
。目前使用的是一种简单的两步实验室工艺，将光刻与金属蒸发结合起来。而在大规模生产中，金属化可以通过单步工艺来实现，比如利用掩膜来进行丝网印刷或蒸发。 　　这种专门设计的接触结构被应用到有源

最高数值。优点是可使用现有生产线制造”（该公司）。除三菱电机外，京瓷使用背接触构造将多晶硅单元的转换效率提高到了18.5％。 　　三菱电机曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至
面积将其提高至18％。 　　RIE Texture技术采用直径为3μm的硅粒子作掩膜，通过蚀刻在晶圆表面形成数μm的凹凸。由于是在晶圆上涂布含硅溶液，以自组织方式排列硅，形成掩膜的成本得以削减至最低

Vangtuard I，体装式结构，单晶Si衬底，效率约10%（28℃）。到了1970年代，人们改善了电池结构，采用BSF、光刻技术及更好减反射膜等技术，使电池的效率增加到14%。在70年代和80年代
SHARP公司、美国的SUNPOWER公司以及欧空局为代表，在空间太阳电池的研究发展方面领先。其中，以发展背表面场（BSF）、背表面反射器（BSR）、双层减反射膜技术为第一代高效硅太阳电池，这种类型的电池典型

透明导电薄膜，使用倍频（532nm）YAG：Nd激光刻划系统刻划硫化镉/碲化镉膜层和金属背电极。激光刻划系统有两种，其一是移动样品实现激光刻划，其二是样品固定激光头移动实现激光刻划。前者受微动台的限制
进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重，容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度，获得更好的膜面腐蚀效果。 图