三菱电机将多晶硅转换效率提至18％ 在标准构造中为最高值

　　三菱电机在太阳能电池国际会议“PVSEC-17”上，发布了将多晶硅单元转换效率提高至18％的成果。这是由官方认证机构——产业技术综合研究所的测量结果。“为标准电极构造中的最高数值。优点是可使用现有生产线制造”（该公司）。除三菱电机外，京瓷使用背接触构造将多晶硅单元的转换效率提高到了18.5％。

　　三菱电机曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至16.8％的成果。此次，首先通过控制表面凹凸的RIE Texture技术，将转换效率提高至17.3％；在此基础上再用氢不饱和键(Dangling Bond)加成技术将其提高至17.7％；最后通过减少布线面积将其提高至18％。

　　RIE Texture技术采用直径为3μm的硅粒子作掩膜，通过蚀刻在晶圆表面形成数μm的凹凸。由于是在晶圆上涂布含硅溶液，以自组织方式排列硅，形成掩膜的成本得以削减至最低。

　　氢加成技术和电极面积缩减技术已经应用于部分量产产品。RIE Texture技术将在新引进的生产线上使用。另外三菱电机宣布，计划在2010年之前将年产能提高至250MW。