三菱电机将多晶硅转换效率提至18% 在标准构造中为最高值

来源:Solarbe.com发布时间:2007-12-12 00:00:47

  三菱电机在太阳能电池国际会议“PVSEC-17”上,发布了将多晶硅单元转换效率提高至18%的成果。这是由官方认证机构——产业技术综合研究所的测量结果。“为标准电极构造中的最高数值。优点是可使用现有生产线制造”(该公司)。除三菱电机外,京瓷使用背接触构造将多晶硅单元的转换效率提高到了18.5%。

  三菱电机曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至16.8%的成果。此次,首先通过控制表面凹凸的RIE Texture技术,将转换效率提高至17.3%;在此基础上再用氢不饱和键(Dangling Bond)加成技术将其提高至17.7%;最后通过减少布线面积将其提高至18%。

  RIE Texture技术采用直径为3μm的硅粒子作掩膜,通过蚀刻在晶圆表面形成数μm的凹凸。由于是在晶圆上涂布含硅溶液,以自组织方式排列硅,形成掩膜的成本得以削减至最低。

  氢加成技术和电极面积缩减技术已经应用于部分量产产品。RIE Texture技术将在新引进的生产线上使用。另外三菱电机宣布,计划在2010年之前将年产能提高至250MW。
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