肖特基

%的光伏电池，结果已发表在新一期Small杂志特刊。据materials views china网站介绍，将特定导电薄膜转移至硅表面即可获得肖特基光伏电池。当光照射到此类电池器件上时，光生电子空穴对
会在导电薄膜与硅之间所形成的结区(也称肖特基结)得以分离而实现光电转换。与传统硅电池相比，该类杂化电池的制备工艺大为简化，因而有望大幅度降低硅基光伏器件的成本。其中，碳纳米管薄膜因其较低的面电阻、易调制

%的光伏电池，结果已发表在新一期Small杂志特刊。据materials views china网站介绍，将特定导电薄膜转移至硅表面即可获得肖特基光伏电池。当光照射到此类电池器件上时，光生电子空穴对会在
导电薄膜与硅之间所形成的结区(也称肖特基结)得以分离而实现光电转换。与传统硅电池相比，该类杂化电池的制备工艺大为简化，因而有望大幅度降低硅基光伏器件的成本。其中，碳纳米管薄膜因其较低的面电阻、易调制的

，但它能与Si直接接触。因氧化长期远景看低的问题对Al比较好。丝网印刷对Al来说是成熟工艺，原则上它能应用于Al指形电极。Al的主要优点是Si与Al之间的肖特基势垒高度能用工程方法获得低接触电阻，本文将
的R&D还没有开始。作为Ag替代品的Al若能实现高高宽比，作为Ag 指形电极的替代品，Al比Cu更具吸引力。这方面有二个原因。一个是在Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV，这确保了低

Si与Al之间的肖特基势垒高度能用工程方法获得低接触电阻，本文将加以讨论。对Cu来说，接触电阻由阻挡层金属确定，其他考虑因素（如Cu扩散性）常常决定阻挡层金属的选择。另一方面，较高电阻率的Al要求较高
Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV，这确保了低接触电阻。另一个是直至400℃，Al和Si间的界面反应可得到抑制。用价补Si(100)表面可获得这些结果。

，并于2011年开发出了制备肖特基二极管及简单电路的技术。Badding等的最终目标是开发出芯线内部不仅集成有此次的光电转换功能、还集成有电信号高速处理电路的光纤。如果能够实现，那么用一根光纤即可实现发电、光电信号转换、电信号处理及光通信。

技术。2006年成功在光纤的核心部分制备了非晶硅。2008年前后，开发出了制备单晶硅的技术，并于2011年开发出了制备肖特基二极管及简单电路的技术。 Badding等的最终目标是开发出芯线内部不仅

问题。核壳结构的Cu/Cu2O 电阻较小，Cu和Cu2O接触形成肖特基结，不仅有利于电荷的分离和传输，而且可以抑制电荷的复合，最终提高电池的光电转化效率。该工作为光电化学电池的研究提供了新思路。研究得到了国家自然科学基金项目的资助和支持。 基于Cu/Cu2O的半导体液结太阳能电池及性能

如下：1893年 法国科学家贝克勒尔发现光生伏打效应，即光伏效应。1876年 亚当斯等在金属和硒片上发现固态光伏效应。1883年 制成第一个硒光电池，用作敏感器件。1930年 肖特基提出Cu2O势垒的

制成第一个硒光电池，用作敏感器件。 下一页 余下全文1930年 肖特基提出Cu2O势垒的光伏效应理论。同年，朗格首次提 出用光

决定的,硅管一般在0.9V左右，肖特基一般在0.5V左右。反向漏电是二极管的主要反向特性，一般硅管在3~5uA,肖特基在50~500uA.正向压降会导致接线盒的温度升高，从而影响寿命。反向漏电流，会
，尤为突出。在我们的MOS管旁路模块设计中，DS端电压损耗小于0.1V，即该线路的压降低于0.1V。相比于传统二极管以及肖特基管的VF而言，MOS管旁路的功耗更小。我们以10A电流举例：STD：1V