光伏电池(thermophotovoltaics),它在麻省理工学院(MIT)的起源,可以追溯到20世纪50年代。在材料中创造一种光子晶体结构,这样,它发射光线时,就会优先朝着一个方向,而且是在一定的
麻省理工学院的研究小组做到了,因为他们使用了一种光子晶体:实质上就是一种间距精确的微观孔洞阵列,就在这种材料的顶层。这种方法模拟地球的温室效应:来自太阳的红外辐射可以通过表面的孔进入芯片,但是,反射光线在逃
研究人员已经找到一种方法,在使用热光电设备时,不需要用镜子聚集阳光,这就使这种系统更简单也更便宜。关键是要防止热量逸出热电材料,这些事情麻省理工学院的研究小组做到了,因为他们使用了一种光子晶体:实质上
(PeterBermel)和麻省理工学院其他研究人员,发表在10月份的《纳米研究快报》(NanoscaleResearchLetters)杂志上。博梅尔解释说,如果你把一块普通的深色吸光吸热材料放在阳光
几乎不可能实现。1998年,美国科学家研制出了首个氮化镓晶体管。 然而,氮化镓禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,使得它成为迄今理论上电光
以氮化镓为衬底的芯片器件,都需要精密的纳米加工工艺。由于技术门槛极高,在全球能够规模化生产氮化镓晶片的公司屈指可数,日本的住友、日立电缆在这个领域中占领着制高点,其次为美国公司。 徐科带领的纳维科技是
索比光伏网讯:美国科学家开发出一种新技术,首次成功地将复合半导体纳米线整合在太阳能硅片上,攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示,这些细小的纳米线有望带来优质高效且
廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。III-V族化合物半导体指元素周期表中的III族与V族元素结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等,其电子移动率远大于硅
太阳能电池的半导体制造装置,这是因为现在的半导体制造装置性能低下、生产效率低且价格昂贵。例如,要建设一处45纳米级LSI(大规模集成电路)设备,需要5000亿~1万亿日元的庞大投资。 需要
等离子气体保持一定的种类和压力状态,便无法维持等离子的空间均一性,基板上的MOS(金属氧化膜半导体)晶体管的栅极绝缘膜就会破损。 而且,由于会产生大量粉末状反应生成物,这些装置被认为简直
索比光伏网讯:石墨烯薄片添加进一种N -甲基吡咯烷酮溶剂,把这种东西放进打印机,可打印出一些电路和薄膜晶体管。喷墨技术是一场革命。首先,有了数字图像印刷,更快更灵活,超过任何人的想象(虽然并不一定
十亿美元的加工厂进行。但是有一个问题。喷墨印刷电子产品性能较差,不如传统的集成电路,这一差别很显著,印刷薄膜晶体管只是比硅基模型更大更慢。所以,竞争已经开始,就是要提高它们的性能。今天,安德烈法拉利
索比光伏网讯: 日前,中科院微电子所在新型Al2O3表面钝化研究上取得突出进展。 良好的表面钝化对于提升晶体硅太阳能电池的开路电压十分重要,传统晶体硅电池常用等离子体增强化学气相沉积法沉积
SiNx:H薄膜,除了能够降低反射率以外,还对Si电池的表面进行了较好的钝化。然而传统SiNx:H薄膜对晶体硅的表面钝化效果有限,因此对表面钝化技术的探索和研究,一直是国际上的重点研究领域。最近几年,国际上
微电子和纳米电子制造产业链的整体发展,为半导体、光伏(PV)、LED、平面显示和其他相关产业提供生产供应链服务。40多年来,SEMI通过诸多项目专项、倡议和行动为其会员及其代表的产业提供服务,推进全球
下谈判确定的贸易规则框架内,依据质量、技术和服务方面展开竞争。SEMI同样也全力推动促进太阳能光伏应用的政策出台,以应对全球性的能源挑战。因此,就近期针对中国晶体硅光伏电池制造商的反倾销和反补贴提案
和无毒溶剂,也可高产。
在这项工作中,一个关键发现是有了一些替代品,这样,不再使用纳米晶体油墨或有毒溶剂如肼,也可以产生高效溶液加工的太阳能电池。
事实上,对于溶液加工无机太阳能电池有什么
空气稳定性,呈现的效率是4.1%。
希尔豪斯指出,从前体到薄膜,用这种方法掺合的金属量可接近100%,采用纳米晶体油墨方法就不是这样的情况,但可以制成效率7.2%的设备。
这种新颖的加工方法
。在未来3-5年内,在政府、企业、科研院所的共同努力下,争取将光伏发电成本降低20%,即降至每千瓦时0.8元。技术进步降低光伏成本降低原材料成本。目前,我国太阳电池生产主要以晶体硅电池为主。多晶硅原材料
是晶体硅组件的上游环节,占到光伏组件成本的30~40%。近年来,国内一些企业引进、消化和吸收欧美国家的改良西门子法多晶硅提纯技术,在生产实践中自主创新,取得多项具有自主知识产权的技术,多晶硅原材料自给