粒状多晶硅

。 硅烷法可以分为两类，较早出现的是硅烷西门子法和硅烷流化床法，将硅烷通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅。 (流化床法的工艺简图) 优点：热解时温度要求较低
多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异

公司在硅烷流化床法的中试运行中，每公斤多晶硅能耗降至25度电以下，一次转化率达到98%。经检测，这一新技术制取出的颗粒状多晶硅，产品纯度达到11N（百分比整数位至小数位共有11个9字），满足半导体和

公司在硅烷流化床法的中试运行中，每公斤多晶硅能耗降至25度电以下，一次转化率达到98%。经检测，这一新技术制取出的颗粒状多晶硅，产品纯度达到11N（百分比整数位至小数位共有11个9字），满足半导体和

Polysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率《300欧姆？厘米

：Solar-Grade Polysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率《300欧姆厘米

硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 　　被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米（? cm）；基硼电阻率2600欧姆?厘米

原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 　　被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米（ ? cm）；基硼电阻率2600欧姆?厘米

：Solar-GradePolysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米

：Solar-GradePolysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米(?cm

Polysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率《300欧姆？厘米（？cm）；基硼电阻率