空穴

、能带调控的重掺杂型无机界面材料在电极附近分别抽取电子和空穴，并在大面积范围内控制消除界面缺陷。这样做的结果是：（1）该电池表现出迄今为止各类钙钛矿太阳能电池中最佳的填充因子达0.83，开路电压接近

（负极）、TiO2致密层（电子输送层）、钙钛矿层（发电层）、spiro-OmetaD层（空穴输送层）、金电极层（正极）（出处：JST） 　　 　　钙钛矿太阳能电池可通过印刷作为材料的溶液来轻松制作

由下而上依次为FTO透明电极层（负极）、TiO2致密层（电子输送层）、钙钛矿层（发电层）、spiro-OmetaD层（空穴输送层）、金电极层（正极）（出处：JST）

效率则约为18%。 晶体硅太阳能电池光电转换效率的影响因素 对于晶体硅太阳电池来说，只有波长小于1.1m的光才能使晶硅材料产生电子-空穴对，而其余波段的太阳光不能被电池利用，直接转变为热量。另外，电子
-空穴对的复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。 总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性

%。晶体硅太阳能电池光电转换效率的影响因素对于晶体硅太阳电池来说，只有波长小于1.1m的光才能使晶硅材料产生电子-空穴对，而其余波段的太阳光不能被电池利用，直接转变为热量。另外，电子-空穴对的复合、硅表面
栅线电极的遮挡损失。（2）电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子（电子-空穴对）的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易理解，而光生载流子复合损失

18%。　　晶体硅太阳能电池光电转换效率的影响因素对于晶体硅太阳电池来说，只有波长小于1.1m的光才能使晶硅材料产生电子-空穴对，而其余波段的太阳光不能被电池利用，直接转变为热量。另外，电子-空穴对的
的光反射损失以及前栅线电极的遮挡损失。（2）电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子（电子-空穴对）的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易理解，而光生载流子

生成电子空穴对，电子与Ti4+反应，空穴则与表面桥氧反应，使表面氧虚空，从而近处的Ti4+转向Ti3+，Ti3+适于游离水吸附。此时，空气中的水解离子吸附在氧空位中，成为化学吸附水（表面羟基），化学吸附水
3.2eV，相当于约387.5nm光子的能量。当受到波长小于387.5nm的紫外光的照射时，价层电子会被激发到导带，而产生具有很强活性的电子-空穴对：这些电子-空穴对迁移到表面后，可以参加氧化还原反应

结合到一起成为PN结。 　　 　　 　　 　　（光电效应示意图） 　　 　　半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的
空间电荷区w，建立自建电场Ei。它对两边多数载流子是势垒，阻挡其继续向对方扩散，但它对两边的少数载流子（N区中的空穴和P区中的电子）却有牵引作用，能把它们迅速拉到对方区域。 　　 　　简单来说，W区就是

半导体，两者结合到一起成为PN结。　　（光电效应示意图）半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场Ei。它对两边多数载流子是
势垒，阻挡其继续向对方扩散，但它对两边的少数载流子（N区中的空穴和P区中的电子）却有牵引作用，能把它们迅速拉到对方区域。简单来说，W区就是一个调节电势平衡、合理分配（靠牵引作用）载流子的区域。稳定平衡

原子如硼原子，形成P型半导体，两者结合到一起成为PN结。（光电效应示意图）半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场Ei
。它对两边多数载流子是势垒，阻挡其继续向对方扩散，但它对两边的少数载流子（N区中的空穴和P区中的电子）却有牵引作用，能把它们迅速拉到对方区域。简单来说，W区就是一个调节电势平衡、合理分配（靠牵引