空穴

消除受光面的阴影损失。而异质结结构是在单晶硅基板表面形成高品质非晶硅膜（异质结），能够减轻在光照下产生的空穴（＋）与电子（－）在电池内部复合而消失的现象。通过融合这两种结构，能够同时实现高电流和高电压

p-n结薄膜制作成低成本太阳能电池器件。该类低温原位方法制备的p-n结薄膜能有效提高光生载流子的分离，并抑制电子空穴复合。其具有操作简单、反应快捷且重复性好，产品易成膜、能耗低、环境友好、可大面积制备等

材料制造，因为它具有优良的电特性。它们的载流子的迁移率很高，没有晶粒边界，很少有促使光生电子和空穴复合的缺陷。缺陷处的复合会降低少数载流子的寿命，因而也降低了电池效率。 少子寿命是太阳能电池中半导体的

转换效率目标值为10%，此次理研等的研究小组实现了这一数值。 为了使有机薄膜太阳能电池的转换效率实现10%，对半导体聚合物及形成的发电层和元件的构造作了改进。 加厚了由输送正电荷（空穴）的
%。 并且，通过采用元件阳极和阴极对换配置的逆构造元件，将转换效率提高到了10%。 太阳能电池若发电层的厚度增加，光的吸收量会增加，电荷的生成量也随之增加。不过，半导体聚合物与硅等相比，空穴迁移率

使有机薄膜太阳能电池的转换效率实现10％，对半导体聚合物及形成的发电层和元件的构造作了改进。加厚了由输送正电荷（空穴）的半导体聚合物与输送负电荷（电子）的富勒烯衍生物混合形成的发电层。厚度由原来的约
％。太阳能电池若发电层的厚度增加，光的吸收量会增加，电荷的生成量也随之增加。不过，半导体聚合物与硅等相比，空穴迁移率较低，因此空穴在到达电极之前就会与电子重新结合，很难形成电流，所以转换效率较低。所以，此次采用

黑硅技术的要点是：（1）通过将表面加工成长度为0.8m左右的剑山形状，大幅减少了反射；（2）背面电极型；（3）在单元正面和背面形成防复合膜（钝化膜），从而减少了电子与空穴的载流子复合。阿尔托大学从

单元正面和背面形成防复合膜（钝化膜），从而减少了电子与空穴的载流子复合。阿尔托大学从2012年前后开始开发这项技术。2012年10月达到了18.2％的转换效率，2013年4月提高到了18.7％。此次的

半导体材料在阳光下能产生电流；但直至1905年，艾恩斯坦方才解释光是经光子传递，这光子能敲松半导体里的负电子，这负电子与腾空出来的空穴，互相连贯交替，故产生电流。直到1954年，美国贝尔实验室用参杂磷和

高烧结峰值温度950℃，C/C0=11.11%的硅浓度一直呈现在铝层中，BSF同样是在这样的接触下形成，深达8m。 图3（c）所示的是在这样的接触下没有形成共晶层而是形成了空穴。这种情况下，铝被储存
在一个宽广的接触开缝（d1约为125m）而且在高烧结峰值温度下烧结（迅速冷却）。通常在这种样品的LCO中会存在空穴，这是由于冷却时时间太短。图3（d）所示的是存在空穴的样品中铝层中的硅成分，描述了在