空穴

，是掺杂有5个最外层电子的磷原子，那么，假如掺杂的是最外层只有3个电子的铝（AI）呢？掺杂铝原子后，显然，就缺少了一个电子了，这就像一个没有被填满的洞，我们叫它空穴。硅晶体掺杂诸如铝、硼这样的三价原子后
，就制成了另一种半导体，叫做P型半导体，为了记住它，我们可以把P想象成一个需要电子去填充的空穴。P型半导体也是导电的，这是因为，施加外电场后，P型半导体中的电子会逆电场方向依次填补空穴，同时呢，空穴

太阳能电池，通过器件优化实现了8.27%的能量转换效率，为全聚合物太阳能电池迄今文献报道的最高值。这一高效率得益于聚合物给体与受体吸收光谱互补、氟取代二维共轭聚合物J51给体较低的HOMO能级和较高的空穴

优化实现了8.27%的能量转换效率，为全聚合物太阳能电池迄今文献报道的最高值。这一高效率得益于聚合物给体与受体吸收光谱互补、氟取代二维共轭聚合物J51给体较低的HOMO能级和较高的空穴迁移率，以及使用

钙钛矿太阳能电池结构以后，发现P-i-N反式平面结构电池更容易消除迟滞效应。同时，通过实施界面工程，以稳定、高导电、能带调控的重掺杂型无机界面材料在电极附近分别抽取电子和空穴，并在大面积范围内控制消除界面

几种最常见的钙钛矿太阳能电池结构以后，发现P-i-N反式平面结构电池更容易消除迟滞效应。同时，通过实施界面工程，以稳定、高导电、能带调控的重掺杂型无机界面材料在电极附近分别抽取电子和空穴，并在大面积

387.5nm光子的能量。当受到波长小于387.5nm的紫外光的照射时，价层电子会被激发到导带，而产生具有很强活性的电子-空穴对:相关新闻：SSG技术性能系列报告（一）SSG提升组件功率通过南德TUV测试
认证这些电子-空穴对迁移到表面后，可以参加氧化还原反应，加快光降解反应。这些反应包括：所产生的电子-空穴可将吸附在二氧化钛颗粒表面的羟基和水分子氧化为OH-自由基：缔合在四价钛离子表面的OH-自由基为

结晶缺陷。其结果，是CdTe与CdS的界面上流动的空穴的密度及寿命有多个数量级的提高，从而使VOC值超过了1V。 原标题:CdTe型太阳能电池开放电压增大1成以上，转换效率25％在望

结晶缺陷。其结果，是CdTe与CdS的界面上流动的空穴的密度及寿命有多个数量级的提高，从而使VOC值超过了1V。（记者：野泽 哲生）

太阳电池中电子和空穴在准一维传输时所满足的半导体基本方程进行器件模拟。PC1D对计算机软、硬件要求较低，操作简单，可以输出载流子浓度、电流密度、I-U特性、量子效率和反射率曲线等多种物理量关系图。新版
结果分析3.1、QE及EL测试量子效率（QE）包括内量子效率（IQE）和外量子效率（EQE）。通过收集各波段光生电流进行积分运算，可以得到短路电流，反应出不同波长的入射光转化为电子空穴对的能力。图7为

杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级，达到毫秒级。且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的
表面复合速率，因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合。其次，N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。如图3所示，Fe，Cr，Co，W，Cu，Ni等金属对P型硅片少子寿命的影响