空穴
，晶硅电池的效率提升是以采用新钝化技术为特征的。TOPCon具有完美钝化原理，载流子的选择率高，接触电阻低，是目前产业升级完美技术路线。TOPCon电子选择性材料SiOx/n+ Poly-Si与空穴选择性
材料SiOx/p+ Poly-Si结合的载流子的选择性可以达到13.8-14.2，高于电子选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(n+)与空穴选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(p+)结合
移出，当它们通过顶部正电极离开时，会留下空穴。研究人员曾逆转这一流程以增强钙钛矿层的稳定性。然而，电池结构的改变影响了性能。 通过在太阳能电池上生产二维钙钛矿表面，团队除去了有机层，实现了太阳能电池钝化
-凝胶油墨相结合，这一方法可以用来扩展超薄氧化镍空穴传输层(HTL)，从而实现最快的钙钛矿无机CTL制造。这种方法可以快速进行薄膜流平，以高均匀度和超低针孔密度打印氧化镍HTL，这种工艺的光伏性能超过
2D钙钛矿具备弱氢键使得空穴传输得到了显著改善，进而显著增强了电池性能和稳定性，最优电池性能接近25%，且可以稳定运行1000小时，为钙钛矿大面积规模化制备积累了关键技术基础。
目前广泛报道的2D
薄膜的缺陷态密度显著减少，且空穴传输能垒显著下降(意味空穴传输效率提升)，主要是因为化学键的相互作用使得覆盖2D钙钛矿不对称有机分子在3D钙钛矿薄膜表面出现了择优取向。进一步，研究人员以上述2D/3D
或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。 现在，IGBT也被称为是电力电子行业里的CPU， 在照明、工业、消费、交通、医疗、可再生能源、电力传输等众多领域
阳光新能源)正在筹备上市。虽然并未得到阳光电源方面的证实，但从近期阳光新能源一系列的动作来看，此消息并非空穴来风。 资料显示，阳光新能源是一家专注于新能源开发利用的国家重点高新技术企业。作为阳光电源
构成隧道结，在简化工艺制程的同时，还拥有较高的转换效率。Tunnel-HBC电池工艺主要有以下创新点：
(1)只需要N区(电子收集区)图形化，设备自带mask，省略了原掩模工序;
(2)P区(空穴
：
(1)P区和N区没有隔离，为防止短路，空穴收集材料必须具有低横向电导性能;
(2)使用nc-Si:H(n)/nc-Si:H(p)代替a-Si:H(n)/a-Si:H(p)可以获得更好的Voc和
照射到P-N结后，空穴由P极区往N极区移动，电子由N极区向P极区移动，形成电流。
光电效应就是光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光波)转化为电子、光能
硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有三个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和，形成P型半导体
少子空穴避免复合，进而实现电子在多晶硅层的横向传输并被金属收集，极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压、短路电流和填充因子。 图4 Poly passivated电池的
N 型产业链发展的关键时期，利好具备技术储备的生产与设备厂商。
一、 硅料：N 型料工艺要求高，龙头厂商更具优势
N 型硅与 P 型硅的对比。P 型硅以掺硼元素为主，与硅单质混合型成空穴，产生的
空穴数量决定了导电能力，硼与硅相容性更好，制造工艺简单且成本更低，但硼氧复合体导致电池效率衰减大。而 N 型硅掺磷元素，与硅单质混合型成电子，产生的电子数量决定了导电能力，磷与硅相溶性更差，制造工艺复杂
