空穴
最佳厚度在 1.2nm,其作用在于使多数载流子(电子)通过隧穿效应穿过氧化层，但少数载流
子(空穴)被阻挡，从而进一步降低了载流子复合效应。掺杂多晶硅层一方面起到保护二氧化硅层的作用，另一方面会增加
电子或空穴在氧化硅中的隧穿概率，
因此，多晶硅层的掺杂浓度越高，太阳能电池的开路电压和效率就越高。氢化非晶硅膜：钝化作用和 PN 结作用。氢化非晶硅膜与晶体硅基底之间能 够形成良好的界面钝化，主要
了电场诱导的斯塔克效应对 PeLED 的影响。此外，复合配体降低了量子点的激子结合能，以抑制器件内的俄歇复合。此外，QD 的价带最大值被提升以匹配空穴传输层，从而平衡了 PeLED 中的电荷注入。器件还表现出稳定的电致发光光谱和比对照器件长5.6倍的寿命。
认证标准。但目前研究人员只能严格遵守现有相关的国际标准，例如IEC 63163，在内部实验室开展测试。研究人员表示，电池没有设计空穴传输层 (HTL)，但使用碳复合背接触，基于碳复合材料的背
(NO3)2/PbI2反应。阻抗实验结果表明，在光照条件下，PbI2中的表面陷阱由光生空穴填充，表面正电荷增加。为了补偿这种过量的正电荷，卤化物离子将迁移到PbI2/溶液界面以形成外亥姆霍兹平面，增加
PVK-0.001 PVK-0.01
PVK-0.1 PVK-1减小。其中，0.01
Sun对应的PVK-0.01表现出最佳性能，即较强的电子与空穴分离能力、较长的PL寿命和良好的载流子动力学
传输层 (ETL) 的结合。同时，表面反应所生成的产物降低了钙钛矿表面I离子空位的形成能，实现了n型掺杂，随之产生的内建势场造成能带弯曲，利于电子的抽取并可以抑制电子-空穴复合。采用该策略处理后的
光伏电池在接收到太阳光后，内电场中产生的空穴通过空穴传输层向金属电极移动形成阴极，内电场中产生的电子通过向透明导电氧化物玻璃即FTO移动，形成阳极，最终在钙钛矿光伏电池内部形成电势差，在接入外部电路后会产生
Cells)，属于第三代太阳能电池，也称作新概念太阳能电池(Emerging PV)。©资料来源：南京信息工程大学，东方财富证券研究所钙钛矿电池由钙钛矿、电子传输层、空穴传输层等组成，其与非晶硅薄膜
电池类似，具有P-I-N结构。钙钛矿材料作为光吸收层(I层)，夹在电子传输层(N层)和空穴传输层(P层)之间。太阳光从FTO面照射到钙钛矿太阳能电池上的吸收层，然后吸收光子激发产生激子进而分离成电子
/钙钛矿层/空穴传输层HTL 组成的“三明治”薄膜结构，工艺包括薄膜制备、激光刻蚀、封装三大步，关键在实现大面积高质量薄膜制备。溶液涂布法(刮刀涂布机，狭缝涂布机，丝网印刷机)、溶液喷涂法(气压或超声
。”其中一个电极和半导体之间的功函数的差异分离了光生电子-空穴对。WS2是过渡金属二氯化物材料家族中的一员。在可见光范围内，WS2具有合适的带隙以及单位厚度最高的吸收系数，因此是近乎隐形的太阳电池的理想
1.2nm,其作用在于使多数载流子(电子)通过隧穿效应穿过氧化层，但少数载流 子(空穴)被阻挡，从而进一步降低了载流子复合效应。掺杂多晶硅层一方面起到保护二氧化硅层的作用，另一方面会增加电子或空穴在
底形成局部接触。
(6) 丝印烧结
光伏电池表面膜层不具备收集电子及空穴的能力，因此需要在电池的正背面 印刷银浆或铝浆，并通过高温烧结形成良好的金属半导体接触，将光生载流子导 出至外电路
