磷化铟
就能与硅原子紧密结合为一体。除此之外，这款电池依序堆叠磷化铟镓(GaInP)、硅(由三五族半导体转化而来)、砷化镓(GaAs)等三种材料，能吸收更广泛的太阳光谱，提高转换效率。虽然内部结构相当复杂，但Fraunhofer ISE的研究人员表示，其外表跟一般的产品相去不大，因此可与传统太阳能电池结合。
(subcell)表面在压力下呈现真空状接合，如此一来，三五族次电池表面的原子就能与硅原子紧密结合为一体。 除此之外，这款电池依序堆叠磷化铟镓(GaInP)、硅(由三五族半导体转化而来)、砷化镓
，三五族次电池表面的原子就能与硅原子紧密结合为一体。除此之外，这款电池依序堆叠磷化铟镓（GaInP）、硅（由三五族半导体转化而来）、砷化镓（GaAs）等三种材料，能吸收更广泛的太阳光谱，提高转换效率。虽然
技术建于之前的单结技术基础之上，使用了磷化铟镓作为基底之上的第二个吸收层。相比单结设备，磷化铟镓利用高能光子的效率更高，所以在等量太阳光下，新的双结技术产生的电量更多。该公司的太阳能效率已经获得能源部
技术来使用砷化镓制造太阳能电池片，在单结太阳能技术领域实现了世界最高能效。此次，阿尔塔推出的全新双结技术建于之前的单结技术基础之上，使用了磷化铟镓作为基底之上的第二个吸收层。相比单结设备，磷化铟镓利用
表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。
透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等
太阳能光伏电池，为目前全球转换效率最高的技术。
夏普的化合物三接合电池层叠磷化铟镓、砷化镓以及砷化铟镓(InGaAs)等三层吸光构造，并以特殊的穿隧接合层与缓冲层穿插组合其中，使电池可吸收的光谱更广
表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等三种次电池所构成的
化合物三接合电池层叠磷化铟镓、砷化镓以及砷化铟镓(InGaAs)等三层吸光构造，并以特殊的穿隧接合层与缓冲层穿插组合其中，使电池可吸收的光谱更广、吸光效率更高。夏普的化合物三接合太阳能电池，转换效率纪录
效率纪录达30.8%，此后不久，该纪录被NREL赶超，然而Alta重新再次刷新世界纪录。AltaDevices表示取得这样的效率纪录主要是通过修改其单结砷化镓设计，包括磷化铟镓层(InGaPh)，可
30.8%，此后不久，该纪录被NREL赶超，然而Alta重新再次刷新世界纪录。Alta Devices表示取得这样的效率纪录主要是通过修改其单结砷化镓设计，包括磷化铟镓层(InGaPh)，可更有效利用
29.8%。NREL使用由磷化铟镓构成的顶部电池，以及由晶体硅制成的底部电池创造了此次能效新纪录。双结太阳能电池的新设计以及CSEM的贡献是刷新纪录的关键所在，双方第一次合作所取得的结果进一步表明，通过将
