磷化铟

。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、锗、绝缘体上硅(SOI)等新型半导体材料，以及铜铟镓硒、铜铟硫、碲化镉等新型薄膜光伏材料，推进高效、低成本

索比光伏网讯:这种系统名为Amonix7700聚光光伏太阳能电力生产器使用原由NREL(美国国家能源部可再生能源实验室)的科学家们研发的高效多枢纽光伏电池。这些电池没有使用传统的硅，而使用砷化铟镓及
磷化镓制成，在实验室条件下，这些电池可以将其吸收的太阳光的41.6%转化成电力。尽管实产电池的性能通常不如其在实验室条件下的性能，但为Amonix7700生产的这些电池在实地测试中在组件层面可以取得

廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。III-V族化合物半导体指元素周期表中的III族与V族元素结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅
应变能真正通过侧壁消失，从而更好地摆脱了晶格匹配的限制。"科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的III-V族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于，他们可以使用普通的生长技术而不需要特殊的方法让

，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而，它们无法与
：这种纳米线几何图形通过使失配应变能真正通过侧壁消失，从而更好地摆脱了晶格匹配的限制。科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的ⅢⅤ族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于，他们可以使用普通的生长技术

化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而
上生长。李秀玲表示：这种纳米线几何图形通过使失配应变能真正通过侧壁消失，从而更好地摆脱了晶格匹配的限制。　　科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的ⅢⅤ族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于

结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式，而前者又分为单结晶形和多结晶形。其次，按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形、ⅢV族、ⅡⅥ族和磷化锌等。其三，太阳能电池
固体物理学上讲，硅材料并不是最理想的光伏材料，这主要是因为硅是间接能带半导体材料，其光吸收系数较低，所以研究其他光伏材料成为一种趋势。其中，碲化镉(CdTe)和铜铟硒(CuInSe2)被认识是两种非常

非结晶系薄膜式，而前者又分为单结晶形和多结晶形。其次，按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形、ⅢV族、ⅡⅥ族和磷化锌等。其三，太阳能电池根据所用材料的
最理想的光伏材料，这主要是因为硅是间接能带半导体材料，其光吸收系数较低，所以研究其他光伏材料成为一种趋势。其中，碲化镉(CdTe)和铜铟硒(CuInSe2)被认识是两种非常有前途的光伏材料，而且目前

化铟镓及磷化镓制成，在实验室条件下，这些电池可以将其吸收的太阳光的41.6%转化成电力。 尽管实产电池的性能通常不如其在实验室条件下的性能，但为Amonix 7700生产的这些电池在实地测试中在组件

化合物半导体（指元素周期表中的Ⅲ族与Ⅴ族元素相结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等）相互叠加而成，每个子电池能够特别有效地转化一定波长范围内的太阳光。这些高效的电池被安装在可集中太阳光

转换效率难以提升的缺陷。M—COM致力于三接面砷化镓/磷化铟镓/锗结构太阳能电池晶片的研发与制造，现今已产出能量转换效率达40％的三接面太阳能电池晶片，而且不会污染环境，势将成为绿能产业关键