产中追求高能效的目标。在材料、工艺流程、技术和系统专业知识上进行各种创新的大规模研发项目是菲拉赫基地扩展的又一支柱,有力支持了新一代高能效产品的开发。该项目的重点放在氮化镓和碳化硅等创新型基片在MEMS
2014年6月16日英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力
6英寸到8英寸的跨越。目前,研发中心正致力于研究新一代的IGBT芯片技术、高功率密度IGBT模块封装技术和碳化硅功率器件。丁荣军表示,中国南车欲将其打造为世界级的功率半导体技术创新中心。跨越曲:构建
注意力集中在太阳能市场。这也有一定的道理。新市场、新技术给公司带来了很多机会。GTAT公司专业致力于研究开发晶体材料,如硅、多晶硅、蓝宝石,也包括碳化硅。目前,公司正在专门研究碳化硅材料技术开发。碳化硅的
半导体硅片技术和封装技术的公司,积极发展碳化硅新材料的应用。目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造,但是硅材料的性能利用已接近极限。与硅相比,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,临界击穿电场
强度是硅的10倍,电子饱和速率是硅的2倍。
在这次展会上,三菱电机也展出多款碳化硅器件,包含适用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有关断拖
,并不是偶而得之,而是阳光电源经过长时间的技术积累实现的。 99%效率的实现主要方式有四点:首先,采用了最新的三电平碳化硅器件;其次使用三电平拓扑架构,这是最核心要点;第三,采用阳光电源专利的控制算法
最近,碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命,生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用在ink"光伏电源转换器中时,可实现良好效率,并且(也许
今天,基于碳化硅的新技术为 BJT 赋予了新的意义,特别是在高压应用中。碳化硅布局以同等或更低的损耗实现更高的开关频率,并且在相同形状因数的情况下可产生更高的输出功率。 运用了 SiC BJT 的设计
一系列战略举措GT Advanced Technologies(NASDAQ:GTAT)12日宣布了几项新举措,旨在为下一代消费和工业产品扩展其蓝宝石与碳化硅解决方案组合。公司已与位于欧洲的特种粘合与材料
处理设备全球领导者EV Group("EVG")签署了相关备忘录,以期在多种合作安排中携手并进,其中包括联合开发使用GT的Hyperion(TM)技术生产的超薄蓝宝石与碳化硅薄片粘合至设计的基板(例如
加工实际操作的好帮手。设备以其革新性的高效线速1200mm/min,真正实现高效低耗的生产。昀丰ISC 3010 高速多线切割机,可加工多种晶体材料,如蓝宝石、碳化硅、陶瓷等超硬材料。依据被加工的材料
GT Advanced Technologies(NASDAQ:GTAT)12日宣布了几项新举措,旨在为下一代消费和工业产品扩展其蓝宝石与碳化硅解决方案组合。公司已与位于欧洲的特种粘合与材料处理设备
全球领导者EV Group(EVG)签署了相关备忘录,以期在多种合作安排中携手并进,其中包括联合开发使用GT的Hyperion(TM)技术生产的超薄蓝宝石与碳化硅薄片粘合至设计的基板(例如玻璃、硅和