碳化硅
要实现30MW太阳能逆变器似乎还有很长的路要走，但是在电力电子巨头通用电气(GE)看来并非如此。近日在伦敦举办的记者发布会上，通
近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据《科技日报》6日在济南的报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。此前，北京某企业与中科院合作，成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今，我国第二家企业也实现了碳化硅材料大规模量产，标志着我国碳化硅材料发展逐渐走向成熟。
美国科瑞公司日前表示，该公司C2M系列1200伏、80毫欧碳化硅场效应晶体管被日本Sanix公司选用于新型9.9千瓦三相太阳能逆变器，以加强商业光伏系统的竞争力。
2014年6月16日——英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率，并且可靠运行。
GT Advanced Technologies（NASDAQ：GTAT）12日宣布了几项新举措，旨在为下一代消费和工业产品扩展其蓝宝石与碳化硅解决方案组合
三菱电机（www.MitsubishiElectric.com.cn）于11月20日在武汉市举行绿色创新技术展2013，展出三菱电机在功率半导体、碳化硅器件及其他在工业创新上的领先科技，吸引超过400名专业人士到场参观及交流。
2013年7月8日，GT Advanced Technologies（纳斯达克：GTAT）推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体发布碳化硅产品创新成果，助力系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的
