2013年7月8日，GT Advanced Technologies（纳斯达克：GTAT）推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。

GT 极特多晶硅

SiC和GaN技术将成为太阳能逆变器制胜关键来源：国际新能源网　发布时间：2013-07-01 14:24:52

根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变

碳化硅 氮化镓逆变器

意法半导体(ST)发布碳化硅太阳能解决方案来源：意法半导体发布时间：2012-09-20 23:59:59

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体发布碳化硅产品创新成果，助力系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的

光伏要闻

瑞福索携碳化硅技术逆变器荣获 Plus X 奖来源：索比太阳能光伏网发布时间：2012-09-11 16:34:00

瑞福索逆变器 Plus

新疆金五星新材1亿元碳化硅项目开工来源：天山网发布时间：2012-06-14 10:17:01

新疆光伏企业

山东盛华光伏投资42亿元建设碳化硅及光伏材料项目来源：发布时间：2012-03-04 23:59:59

日前，内蒙古通辽市人民政府、霍林郭勒市人民政府与山东盛华光伏材料有限公司签订项目投资协议书。协议的签订标志着由山东盛华

光伏要闻

总投资42亿元的碳化硅及光伏材料项目落户霍市来源：发布时间：2011-12-15 17:40:59