碳化硅
地位。
通过硅半导体技术和碳化硅半导体技术融合，阳光电源在2019年3月推出功率高达225kW的SG225HX系列，一举助力中国光伏逆变器跃入200kW+时代，迄今发货超15GW，随后陆续有数家企业跟进，让
中国光伏逆变器整体水平迈上新台阶。
一年后，技术和产品被打磨成熟，SG320HX诞生，再次引领时代。
当前光伏产业两大发展方向：
进一步降本与电网友好都离不开第三代半导体器件的发展。碳化硅器件可用
总投资160亿元(人民币，下同)的湖南三安半导体产业园项目一期23日进入调试生产阶段，标志着中国首条、全球第三条碳化硅全产业链生产线在长沙建成，将助力湖南抢占第三代半导体产业前沿阵地注入强芯剂
，总建筑面积22.2万平方米，项目建设历时11个月，主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。
该项目全面建成投产后，将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链生产线，产品
今天上午，期待已久的三安湖南碳化硅生产基地正式点亮投产。 据介绍，该项目总投资高达160亿元，是全国首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，其中碳化硅晶圆的年产能达到36万片。 该项
集聚区，培育了一批骨干企业，并在砷化镓、碳化硅等化合物半导体材料方面形成了比较优势，产业规模从无到有，影响力逐步扩大，形成了良好发展态势。 新形势下，我省将积极培育设计产业，依托山西省北京大学
的碳化硅(SiC)技术应用，整体保护逻辑强化，纹波抑制技术，以及独立隧道式散热技术应用等。 另外，像 AFCI 功能、熔丝+断路器的冗余保护等技术的植入，从各个方面，无一不体现
《全球光伏》了解到，Fraunhofer ISE采用3.3 kV 碳化硅SiC晶体管开发了250千瓦逆变器堆栈，可以将逆变器直接连接到中压电网。 随着能源过渡的进行，电网的扩展变得越来越重要
、核心技术、系统集成方案的开发研究及产业化，助力集团新能源业务板块的发展。
针对光伏建筑一体化应用，低碳院自主开发了全球首个超薄全碳化硅高频隔离光伏逆变器，采用第三代半导体碳化硅(SiC)器件，自主研发
首套超薄型全碳化硅高频隔离光伏逆变器，额定功率10kW，最高输入电压可达1100V，厚度仅为10cm，功率密度是传统光伏逆变器的2.5倍，能放置在光伏板与建筑物墙壁之间，最高额定运行环境温度70℃。与
，成功导入碳化硅切片机，使得 4 寸、6 寸的碳化硅材料在切割的 时间、品质上均有较大提升，打破了国外进口设备的垄断。 光伏单晶硅业务方面，上机数控持续推进产能建设。目前，弘元新材 5GW 和 8GW
。这种效应可以通过具有钝化这一特殊性质的特种材料来抵消。 该制造工艺采用湿化学工艺、化学气相沉积法(CVD)和溅射技术。原型由微小的金字塔形双层碳化硅纳米晶体与透明的氧化铟锡层组成，且这两层都沉积
(TPC，Transparent Passivating Contact)的新型太阳能电池的层序。灰色区域对应的是n-掺杂的晶体硅片，浅蓝色层是湿化学生长的二氧化硅，红色层对应的是钝化碳化硅，其次是
橙色的导电碳化硅。绿色的最后一层对应的是氧化铟锡(ITO)。
这种纳米结构层恰恰提供了这种所需的钝化，此外，超薄层是透明的，因此光的入射率几乎没有减少并表现出高导电性。到目前为止，还没有其他方法能将
