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科学家创造无硅钙钛矿太阳能电池以降低成本延长使用寿命来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-03-05 10:03:03

研究人员使用钙钛矿电池开发了一种稳定的无硅太阳能电池板,通过气相渗透将钛掺入顶层。一名学生通过溶液处理沉积卤化物钙钛矿材料。Christopher McKenney/佐治亚理工学院太阳能正迅速
太阳能电池组成,通常由硅制成。虽然硅是标准材料,但其生产和加工是能源密集型的,这使得建立新的制造设施的成本很高。虽然美国的科学家早就意识到需要提出新的、具有成本效益的材料来促进国内太阳能电池的生产,但

诺贝尔奖获得者Bawendi领衔最新Nature大子刊:聚焦钙钛矿光伏来源:钙钛矿材料和器材 发布时间:2025-03-05 09:54:37

光伏技术已成为应对全球能源危机和气候变化挑战的关键解决方案。尽管基于硅的太阳能电池长期以来一直主导市场,但金属卤化物钙钛矿太阳能电池(PSCs)作为一种有前途的替代品迅速发展。尽管其历史相对较短,但
PSCs 正以前所未有的速度发展,这得益于全球研究工作充分利用了它们的独特优势。与传统硅电池相比,这些创新电池具有更低的制造成本、更简单的制造工艺和更大的机械柔韧性。值得注意的是,其光电转换

阳光电源赵为:未来,光储融合发展将聚焦十大技术方向!来源:阳光电源 发布时间:2025-03-05 08:34:04

器件的企业。2021年发布的1500V组串逆变器SG320HX,率先采用了2000V碳化硅器件。▶ 高压高功率过去十几年,逆变器的单机功率每2-3年就会迎来一次大的提升,直流电压也向着2000V迈进

最低0.648元/W!2月份三峡、华润、西安黄河等光伏组件中标公示来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-05 00:39:46

据中国光伏行业协会报告数据,2024年,我国多晶硅产量达到182万吨,同比增长23.6%;硅片产量达到753GW,同比增长12.7%;电池产量达到654GW,同比增长10.6%;组件产量达到
588GW,同比增长13.5%。即使大部分产品出口海外,光伏产业链的供应量依然超出市场需求,导致价格全面下滑。据统计,过去一年,多晶硅价格下滑超39%、硅片价格下滑超50%、电池片价格下滑超30%、组件价格

协鑫集成GPC2.0高效组件荣获TÜV莱茵认证 凸显分布式场景竞争力来源:协鑫集成 发布时间:2025-03-04 22:28:32

春,协鑫集成晶硅研究院组件分院执行院长黄耕文等代表出席颁奖仪式。针对分布式场景对产品“高收益、强适配与稳定运行”的核心需求,协鑫集成通过容量、收益与可靠性的三维超配协同创新实现新的突破。在容量维度

江西赣州:加强钙钛矿太阳能电池、BIPV等新型太阳能技术、材料和装备研发来源:赣州市工业和信息化局 发布时间:2025-03-04 15:41:15

锂、高镍三元、多元、高电压镍锰酸锂、钠离子电池正极材料等;支持发展硅碳负极、硅氧负极等高性能负极材料,提高电池快充性能;加大在氟代碳酸乙烯酯等新型材料、生产工艺等方面的研发投入,以提升电解液的能量密度

通威股份与三家巴基斯坦企业签约650MW光伏组件供应协议来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-04 08:58:09

,同时为2030年5000GW装机愿景铺路。根据中巴经济走廊二期规划,能源领域投资占比达38%,光伏成为重点方向。通威供应的TNC-G12/G12R组件采用182mm大尺寸单晶硅片,转换效率达22.5

效率持续突破 协鑫集成GPC2.0超配优势重构分布式场景竞争力来源:协鑫集成 发布时间:2025-03-03 21:36:16

触区实施精准对位扫描,形成高质量银硅共融点,降低接触电阻,烧结质量提升显著。在技术实力成熟的基础上,协鑫集成致力于用更低成本实现GPC2.0。伴随业内BC非硅成本的稳步下降,且GPC产品与现有产线兼容性较好

其亚新疆集团年产160万吨有机硅项目即将开工来源:其亚集团 发布时间:2025-03-03 13:51:44

其亚新疆集团年产160万吨有机硅项目位于准东五彩湾产业园,采用目前国内外先进的有机硅生产工艺,其单套合成、单套精馏、单套水解等工艺均为现阶段国内外最大的单体制备设施;同时配套建设甲基氯硅烷合成反应器

碳化硅业务再拓新局,晶盛机电联手浙大系AR眼镜三巨头,抢占下一代消费电子风口来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-03 09:29:22

索比光伏网获悉,2月27日,晶盛机电(股票代码:300316)宣布其碳化硅业务与三家浙大系AR眼镜企业——龙旗、XREAL、鲲游光电达成战略合作,标志着晶盛机电在碳化硅材料应用领域迈出重要一步,也为
AR(增强现实)行业的技术创新与产业链协同发展注入新动能。此次合作聚焦于碳化硅材料在AR眼镜领域的创新应用。碳化硅作为第三代半导体材料,具有高热导率、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率等优异特性