砷化镓薄膜太阳能电池
Pearson 等人在 1954 年制出了 第一个无机单晶太阳能电池，其光电转化效率达到了 6%。现代硅太阳电池时代从此开 始。 同年，韦克尔首次发现砷化镓具有光伏效应，并在玻璃上沉积硫化镉薄膜制成了第
的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征
可再生能源实验室(NREL)认证Oxford Photovoltaics钙钛矿太阳能转换效率达到29.52%，打破了其18个月前创下的27.3%的纪录，还打破了砷化镓太阳能电池29.2%的转换纪录
太阳能电池效率世界记录保持者，没有任何补偿或通知，就解雇了其在美国加州的几乎所有员工。
悲伤的传奇
2013年，汉能以未披露的金额收购了砷化镓光伏开发商Alta Devices。此后，Alta
工业设备拍卖网站All Surplus近期将光伏薄膜技术革新者Alta Devices的实物资产和知识产权进行拍卖，由此，这个悲惨的太阳能资本毁灭的故事得以终结。
Alta Devices并不
)、砷化镓(GaAs)、钙钛矿电池及有机薄膜电池等。 相较于晶硅太阳能电池，薄膜太阳能电池材料消耗少、制备能耗低、生命周期结束后可回收、电池和组件生产在一个车间内完成，由于可在柔性衬底上制备，具有可卷曲
卫星、高空飞行的无人机、以及一些更远程航天器，在远离任何其他能源的地方，通常依靠太阳能电池板提供电力。
目前，航天器工程师们通常选择砷化镓或III-V电池技术。太空旅行等利基应用是为数不多的能够
实现这种高效率、高成本技术的领域之一。而当科学家们在努力降低这些电池成本的同时，其他薄膜光伏技术，特别是钙钛矿，近年来也取得了令人瞩目的进展。
目前最好的钙钛矿太阳能电池效率已经达到了25%，慕尼黑
加拿大的科学家发现了一项具有前景的砷化镓太阳能电池生产技术。让电池直接生长在硅衬底上是一项有前途的策略，能够削减某些技术过高的生产成本。通过使用多孔硅，科学家能够朝着以更低成本生产高性能III-V
太阳能电池的目标迈进一大步。
砷化镓(GaAs)和其他III-V材料(按照它们在元素周期表中的分组命名)是广为人知的高性能太阳能电池材料，它们在转换效率综合记录中占据大多数席位。
但它们通常高达数百
，这表明这种脆性晶体具有显著的柔性(上图e)。尽管单晶钙钛矿薄膜的柔性并非特别出色，但已经有希望应用于高效柔性薄膜太阳能电池和可穿戴设备中。 单晶钙钛矿薄膜弯曲测试示意图。图片来源：Nature
本偏高。 第二代太阳能光伏电池，主要是非晶硅薄膜太阳能电池和晶硅薄膜太阳能电池。其中非晶硅的砷化镓太阳能电池效率目前可达30%左右，但是价格昂贵，综合性价比并不高，因此多用于对性能要求很高的太空飞行
晶体硅 薄膜电池、非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池还是 CdTe 薄膜电池，都无法满足空间站、载人探月、深空探测这类大功率航天器对高效薄膜太阳能电池的需求 。 级联多结砷化镓太阳能电池具有光电转换
旗下拥有单结太阳能电池效率记录的世界纪录保持者阿尔塔设备公司（Alta Devices）几乎无偿解雇了加利福尼亚州桑尼维尔的所有员工。 根据受影响的近300名员工中的几名。
周日，《pv》杂志采访
, Solibro也是如此
2013年，汉能以未公开的价格收购了砷化镓太阳能开发商Alta Devices。 Alta在Hanergy旗下加入了CIGS公司MiaSol，Solibro和Global
