砷化镓太阳电池

采用多结的砷化镓电池，具有宽光谱吸收、高转换效率、良好的温度特性、低耗能的制造过程等优点，使它能在高倍聚焦的高温环境下仍保持较高的光电转换效率。高倍聚光光伏系统技术门槛较高且行业跨度大，涵盖半导体材料
聚光技术，这意味着产生同样多的电能只需要很少的太阳电池芯片。多结技术一个独特的方面就是材料--可选择不同的材料进行组合使它们的吸收光谱和太阳光光谱接近一致，相对晶硅，这是巨大的优势。后者的转换效率已近

成为未来光伏电池的主流产品之一。一、碲化镉薄膜太阳能电池概况一般而言，基于光吸收层材料体系的不同，薄膜太阳能电池主要分为硅基薄膜太阳能电池(如，非晶硅、微晶硅及多晶硅薄膜电池等)、化合物薄膜太阳电池(如
，碲化镉、铜铟镓硒及砷化镓薄膜电池等)、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中，碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉(CdTe)和N型硫化镉(CdS)的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物，是直接带隙

(transparentconductiveoxide，TCO)层、非晶硅层(aSi层)和背电极层(Al／ZnO层)3层薄膜，其中非晶硅层通过磁控溅射法沉积。相对于单晶硅太阳能电池，非晶硅薄膜是一种极有希望大幅度降低太阳电池
成本的材料。非晶硅薄膜太阳能电池具有诸多优点使之成为一种优良的光电薄膜光伏器件。(1)非晶硅的光吸收系数大，因而作为太阳能电池时，薄膜所需厚度相对其他材料如砷化镓时，要小得多；(2)相对于单晶硅

主流产品之一。一、碲化镉薄膜太阳能电池概况一般而言，基于光吸收层材料体系的不同，薄膜太阳能电池主要分为硅基薄膜太阳能电池（如，非晶硅、微晶硅及多晶硅薄膜电池等）、化合物薄膜太阳电池（如，碲化镉、铜铟镓硒
及砷化镓薄膜电池等）、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中，碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉（CdTe）和N型硫化镉（CdS）的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物，是直接带隙半导体，光吸收

产品则为薄膜太阳能电池，主要构成材料分别为非晶矽(Amorphous Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)等。第三代即为三五族(III-V)电池，如砷化镓(GaAs)太阳能电池因具有良好的
太阳能电池因价格过于高昂，故未被使用于一般地面型太阳能系统或家庭消费性用途，随着人类对半导体材料的掌握度更高，并搭配聚光光学元件，如今三接面砷化镓太阳能电池的转换效率已可达到44%，制作成本亦大幅降低

总部驻加州森尼维耳市的Alta Devices于2012年3月所创造，转换效率为30.8%。NREL研发的0.25平方厘米III-V光伏电池包含位于砷化镓太阳电池顶部的镓磷化铟电池，是基于每平方

维耳市的Alta Devices于2012年3月所创造，转换效率为30.8%。NREL研发的0.25平方厘米III-V光伏电池包含位于砷化镓太阳电池顶部的镓磷化铟电池，是基于每平方厘米1000瓦的

，剥离层直接沉积在砷化镓（GaAs）基底上，再将多结太阳电池沉积在剥离层上。太阳电池的外延结构可以从基底上无损伤移除，而且背面电极给剥离后的太阳电池提供了机械支持。因为砷化镓（GaAs）基底可以在其

开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓III-V
砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对

双芯片组合可满足高光效和高色温的商用需求，但现在市场需求还未大规模启动。公司的太阳电池外延片业务处于国内领先地位。公司是目前国内最大的能够批量生产三结砷化镓电池外延片供应商之一，约占全国50%的市场份额
。在空间用三结砷化镓太阳能电池产品领域，因为国外实行禁运，国外产品无法进入国内市场销售，因此公司的竞争对手只是国内少数企业。国内目前只有中国电子科技集团18所等极少数单位和企业具有生产空间用三结砷化镓