石英
温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种
温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。
LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小
镀膜管是由一种叫做“玻璃王”的高硼硅3.3玻管经镀膜加工制成。而制造高硼硅玻管离不开优质的石英砂。力诺集团从石英砂开采和深加工抓起，在安徽凤阳独资兴建安徽力诺矿业有限公司，勘测表明，矿区的石英砂储量
：作为多晶硅制造重要原料的高纯石英，投资2.5亿元的江西月兔硅材料科技有限公司就能提供丰富的原材料，公司主要生产高纯石英粉（砂）与高纯硅微粉，其高纯石英提纯技术填补了国内空白，在国际上居领先地位；生产
一直是光伏产业的主要原料。芯片业对硅片的纯度、工艺以及固定资产投入要求都远远大于太阳能光伏产业。石英砂提纯之后，成为金属硅，纯度为98%。太阳能芯片纯度一般是99.999999999%，而芯片需要99
石英柑祸壁的反应速率，增大氧官集层的厚度，以达到控制含氧量的目的。与常规CZ单晶相比，最低氧浓度可降低一个数量级; 3.有效地咸少或消除杂质的微分凝效应，使各种杂质分布均匀，减少生长
cZ法生长的。常规cZ法生长的晶体中，氧主要来自石英钳锅，其浓度变化范围介于4.0 x 10'0与2.0 x 10`8原子/厘米”之间〔3,4)，随晶体生长的各种参数而变，其浓度上限接近于硅熔点时的饱和
棘手的问题。为了抑制熔体的热对VrL以降低熔硅与石英柑祸的反应速率，并使氧可控，从而生长出高质量的单晶，采用Mcz法是行之有效的。
二、原理
众所周知，用CZ法拉制单晶时会
严格的监控，原料、坩埚成品有严格的测试，保证了产品的一致性和稳定性。国内的石英坩埚厂家尽管也通过了IS09000质量体系认证，但在严格的质量管理方面还欠火候，没有作业指导书或操作规程，产品缺乏一致性
。虽说坩埚的几何尺寸也在规格范围内，但离散性大，有时偏上限，有时偏下限。此外在石英坩埚的清洗和纯化，石英坩埚的包装材料上，坩埚厂家也有许多有待改进的地方。随着集成电路制造业向中国转移，带动了硅片的需求强劲
直拉法生产硅单晶，必须使用石英坩埚。石英坩埚按生产的硅单晶的级别分类有电子级和太阳能级，而电子级又根据产品的类别对石英坩埚有不同的要求。多年来通过石英坩埚及硅材料厂家的相互配合与支持，石英坩埚的
主要设备：CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定
