使用单晶籽晶,获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术,其功耗只比普通多晶硅多5%,所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。简单地说,这种技术就是用多晶硅的成本,生产单晶硅的
技术可以进一步降低成本;硅片晶花分选可以更好的解决组件外观问题。针对上述四点原因,协鑫一一攻克。
在外观方面,协鑫方面宣称,鑫单晶硅片采用金刚线切割,外观与常规多晶硅片相似,采取碱制绒后与直拉单晶无明
中,铸造其实是传统的多晶制作方法。
其实现在的单、多晶之争就是直拉技术和铸造技术的竞争,而铸造单晶则是巧妙地将铸造技术的低成本、低能耗、大尺寸优势和单晶的高效率、高质量优势结合到了一起。浙江大学杨德
面积更大,相比直拉单晶电池片八角结构,正方形的铸锭单晶可以充分利用组件表面积,以158.75mm的硅片尺寸为例,比211圆棒,带倒角的158.75单晶硅片增加0.8%的受光面积,比156mm硅片大2
相比,功率高约2W,实际发电能力低约0.5%;156直拉单晶功率低约2.6W,实际发电能力低1.1%。
我们来计算下成本,目前铸锭单晶硅片价格比直拉单晶硅片低0.4元,一块组件72片低28.8元,以
产品路线,来走出一条适合自己的路,赢得更广阔的市场。铸造单晶产品拥有多晶的成本,直拉单晶的效率,性价比也在持续提升。
三大优势铸就4.0双高前沿
铸造单晶也曾在中国市场占有一席之地。2010年国内
铸锭单晶首次量产引起轰动,但由于当时的产品单晶比例低、顶部缺陷高、不够美观等问题而逐渐销声匿迹。协鑫克服了铸锭单晶的这些痛点,使其具备了比传统直拉单晶、多晶组件更强的市场竞争力。
2月27日,协鑫集成
上与直拉单晶组件比功率差小于5Wp。 铸锭单晶PERC电池与组件的光衰( LID,LeTID )都低于同产线的直拉单晶产品。 铸锭单晶硅片的氧含量低于6ppma,显著低于直拉单晶
。
随着新建硅料产能逐步向电价较低的西部地区转移,长期来看硅料仍具备明显的降价的空间。
硅片:金刚线切割渗透接近尾声
硅片的工艺分为两个方面:
一是长晶工艺,包括单晶硅的直拉法
和多晶硅的铸锭法,对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。
二是切片环节,目前主要采取金刚线切割的方式,对应的设备和耗材分别为切片机和金刚石线。
从成本端来看,扣除硅料的影响外
高阁映澄湖,一幅江山如画图素有滇黔锁钥之称的曲靖,2月17日阳光能源曲靖公司年产3000吨单晶硅棒和1.2亿片单晶硅片一期项目投产,曲靖市市委书记、市长,经开区管委会书记、主任,各县区主管领导、及部分
21台及其配套设备。阳光能源的历史最早追溯到1997年11月份,由集团创始人谭文华先生在锦州一五五厂创立单晶车间,开始踏足直拉单晶行业,具有20年的N型/P型硅棒生产经验,专注单晶生产, N/P型硅棒
。 值得一提的是,目前国内只有中环股份具备采用区熔法大规模生产高品质单晶硅的企业。 而隆基的技术局限在直拉单晶技术上,在区熔单晶上并无涉足。 沈浩平说:区熔法的创新我们一点也没有copy老外的技术,这是一条
新建硅料产能逐步向电价较低的西部地区转移,长期来看硅料仍具备明显的降价的空间。
硅片:金刚线切割渗透接近尾声
硅片的工艺分为两个方面:
一是长晶工艺,包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法
,对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。
二是切片环节,目前主要采取金刚线切割的方式,对应的设备和耗材分别为切片机和金刚石线。
从成本端来看,扣除硅料的影响外,对单晶硅片成本影响最大的
效率差仅为0.18%,光衰比直拉单晶产品低0.5%以上,成本大幅降低。通过大尺寸技术应用和与PERC工艺结合,铸锭单晶硅片可以在2019年帮助客户实现400W组件功率输出。
多晶黑硅片方面,保利协鑫
1月8日,保利协鑫句容切片基地顺利投产,喜迎2019开门红。这是保利协鑫继阜宁切片项目后第2个金刚线专机切片基地,拥有近百台第四代专机,主要切割单晶硅片,产能预计达到4GW/年