电流密度

遍数银纳米线之后的器件吸收测试结果；(c) 采用打印顶部电极的半透明OPV器件在可见光波段的透过率曲线。插图为器件照片，显示半透明效果良好；(d) 典型的器件电流密度-电压（J-V）曲线，其中器件

，势必会带来更为广阔的应用空间。 另外一个是技术层面的挑战。组装和绑定线工艺必须适应SiC器件高功率密度，高温的性能。SiC器件在保持散热器温度不变的条件下，可以工作在非常高的电流密度和温度条件下。这会

表面复合速率和740mV的潜在开路电压(iVoc)值。另外，通过RPD设备沉积透明导电氧化层，可以同时得到优越的光学特性和电学特性，提升了器件的电流密度（Jsc）和填充因子（FF），这主要归功于其具有

设定的电池参数(开路电压V oc 、短路电流密度Jsc 、最大工作点的输出电压V m 和输出电流密度Jm 等) 值设计的。栅线设计的优良与否，对电池片的影响很大，目前电池片领域有几种流行的栅线优化方案

电池片效率一般为17.5%左右，Isc 为5.3A 左右。电池光诱导电流密度（LBIC Current）测试如图5 和6 所示。图5 样片1 LBIC Current 测试 图
图8 样片2 少子寿命测试硅片少子寿命测试与电池光诱导电流密度（LBIC Current）测试和电池EL 测试具有很好的对应关系，说明造成电池效率低的原因为硅片本身内部缺陷

的短路电流密度较该公司2013年2月发布的异质结单元得到提高。在利用异质结保持高电压的同时，通过背接触结构增加电流的手法为实现25.6％的转换效率做出了贡献。众所周知的是，晶体硅太阳能电池的理论效率约为

功率损失：dP=I2dRdR = 搅礀/bI(y)=横向电流=JbyJ=电流密度总的功率损失为： Ploss=I2dR =J2b 包3/24S 是两栅线间的面积。在最大功率点，光生功率是：Pgen

，经济 电流密度，机械强度等条件。 根据经验: 低压动力线因其负荷电流较大，故一般先按发热条件选择截面，然后验算其电压损失和机械强度； 低压照明线因其对电压水平要求较高，可先按允许电压
损失条件选择截面，再验算发热条件和机械强度； 对高压线路，则先按经济电流密度选择截面，然后验算其发热条件和允许电压损失； 高压架空线路，还应验算其机械强度。 一般电线电缆规格的选用

电线电缆型号，要考虑用途，敷设条件及电线所能承载的安全范围等。选择电线电缆的规格要考虑考虑发热，电压损失，经济电流密度，机械强度等条件。根据经验:低压动力线因其负荷电流较大，故一般先按发热条件选择截面
，然后验算其电压损失和机械强度；低压照明线因其对电压水平要求较高，可先按允许电压损失条件选择截面，再验算发热条件和机械强度；对高压线路，则先按经济电流密度选择截面，然后验算其发热条件和允许电压损失；高压

介绍其混合异质结电池的最新转换效率，最近在上周阿姆斯特丹的EU PVSEC活动上跟进一个类似介绍。 夏普电池的细节包括41.7 mA/cm2的短路电流密度(Jsc)以及736 mV的开路电压