电压

尹志刚教授等人近期开发出氯化锌掺杂新型柔性聚电解质杂化介电薄膜材料，并用于设计和制造多级非易失性低电压柔性有机场效应晶体管存储器。这一创新研究成果，展示了新型柔性聚电解质杂化介电材料及其低功耗OFET存储器在信息感知、存储与计算领域的诱人应用潜力。通过调节栅极电压，成功调控新型聚电解质杂化介电薄膜中的离子迁移能力，从而赋予柔性OFET存储器出色的存储能力。

本研究苏州大学崔超华和李永舫等人揭示了氯取代的极化色散效应在优化小分子受体分子间π–π堆叠中的重要作用。将QX-Cl作为客体受体引入D18:N3体系后，三元器件的PCE进一步提升至20.41%。单氯取代策略在保持高开路电压的同时，显著提升器件的填充因子和效率，实现了高电压与高FF的罕见兼顾。将QX-Cl作为第三组分引入D18:N3体系，优化了分子堆叠和相分离形貌，使三元器件效率突破20.41%，展现了氯化策略在多元体系中的通用性与协同效应。

钙钛矿太阳能电池因严重的非辐射复合导致光电压损失，限制了器件整体性能。为解决这一关键问题，华东师范大学保秦烨等人开发了一种通过双位点锚定桥的策略，用于调控钙钛矿与PCBM电子传输层之间的异质界面。通过形成强双位点P—O—Pb共价键，实现强化且均匀的钝化，有效降低了钙钛矿表面缺陷密度。同时，重构了钙钛矿表面能带结构，使费米能级上移并增强电场，促进钙钛矿/PCBM界面的电子提取。

钙钛矿太阳能电池在反向偏压条件下会发生快速降解，这种情况可能在局部遮荫时出现。通过对微型钙钛矿电池以及无钙钛矿的传输层二极管进行测试，结果表明突变性低电压击穿源于纳米至微米级缺陷，而金属迁移与导电细丝形成并非主要原因。

在采用介观TiO/ZrO/碳结构优化大规模制备的可印刷碳基钙钛矿太阳能电池中，滴铸成膜和无空穴传输层的特性导致钙钛矿结晶不理想，限制了其光电转换效率，并阻碍了有效的电荷传输和提取。最终p-MPSC实现了20.8%的PCE和1.067V的开路电压，这是迄今有机-无机杂化p-MPSCs报道的最高VOC。创纪录的高开路电压与效率：实现p-MPSC器件20.8%的PCE和1.067V，为有机-无机杂化碳基钙钛矿电池的最高开路电压，同时大面积组件效率达17.1%。

研究人员设计了一种钙钛矿结晶动力学调控模板，通过同步引入 SCN⁻和挥发性 NH₄⁺配体，实现了钙钛矿的快速成核与晶体生长抑制。由此制备出的高质量钙钛矿薄膜具有更大的晶粒尺寸、更优异的结晶度、有序的表面形貌以及得到补偿的残余应变。值得注意的是，在钙钛矿薄膜的埋层界面检测到的残留 SCN⁻配体还倾向于充当界面钝化剂。

为了使用非接触式和非侵入性方法评估钙钛矿太阳能电池的户外性能和稳定性，澳大利亚和中国的一个研究团队找到了一种使用光致发光成像的方法，并展示了隐含开路电压成像的概念验证。该团队表示，这是定量户外隐含开路电压成像的第一个概念验证。