激光
多晶电池的单片瓦数更低，非硅成本更高一些，假设为0.30元;单晶Perc电池由于新增了背钝化、激光开槽等设备，在常规电池的基础上，每瓦会增加0.05元左右的非硅成本，即0.33元;单面Perc改为双面
设备：背面钝化处理和激光开槽设备。
背钝化方面，有PECVD和ALD两种技术路线，PECVD的代表厂商是梅耶博格;ALD的代表厂商是国内的江苏微导以及理想能源。PECVD路线的优势是在同一
很难再有一个531，对所有人都是严冬。靠政策驱动式增长，越来越不现实，市场选择下的理智，越来越靠谱。美国持续用免税来刺激光伏高速替代：欧洲撤销mip 挽救经济疲态和气候透支;新兴市场从对光伏的
最大。2017年4月，隆基与新南威尔士大学、帝尔激光联合对外宣布向行业公开低衰减技术LIR(光致再生)技术，可有效控制单晶PERC电池的光衰。
一年后，隆基进一步公开解决方案，并承诺帮助单晶硅片客户将
，并把恢复的过程进行压缩，那么它是不是再不会在应用端出现?李振国对PV-Tech记者说到。
基于这两个原理，隆基与新南威尔士大学、帝尔激光展开合作，联合开发了LIR技术(光致再生)。具体思路表现为，在
将全铝背场改为局部铝背场，把背面铝浆全覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，P
公开领先技术了。2017年，隆基联合澳大利亚新南威尔士大学、武汉帝尔激光公开联合研发的LIR技术，解决了单晶PERC组件的初始光衰问题，引起了行业进行技术共享的风潮，也在行业刮起一阵PERC旋风，部分
薄片化。 观点2:客户端反应叠瓦组件使用直连式工艺机械载荷优于常规组件。 问题5：请问目前激光划片及组件生产过程中的良率多少? 观点1:激光划片损耗在大约在0.3%左右，还需要激光设备厂商优化
衰减可保持在3%以内，P型多晶组件的首年衰减则一般按 2.5%来质保，电池均无需经过再生处理。
2.PERC组件的光衰
P型PERC技术对晶硅电池背面做钝化，电子需要扩散更长的距离经过激光
利用到高强度的光照(如激光)以在几秒钟内完成再生过程。如下报告列举了5家提供光致再生(LIR，Light induecd regeneration)设备的企业，其设备均有很好的处理效果
(PECVD) 工艺。 而前表 面SiNx ARC也同样是采用管式PECVD 工艺完成的。
在进行激光电极开窗操作之后，采用丝网印刷和共烧结工艺完成金属电极制作。随后对所有完成烧结的多晶硅PERC
导致LID的缺陷中心的恢复 工艺包括过剩载流子注入、恰当的温度和持续时间。通常，使用卤素灯、LED或激光来进行单晶硅PERC的光致恢复(LIR)操作;然 而， 工业LIR工艺并不适用于多晶硅PERC
工艺流程比传统太阳能电池复杂很多。IBC的关键工艺在于在电池背面形成交叉排列的p+区和n+区，以及在上面形成金属化接触。因此，IBC电池的制作需要采取局部掺杂法，比如利用光刻或者激光形成所需要的图案
，Sunpower研发的第三代IBC电池最高效率已经达到25%。应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池，功率转换效率已经达到26.1%，这是P型晶体硅太阳能电池的世界纪录效率。
2.产业趋势
等人用飞秒激光脉冲在SF6和Cl2气体环境下反复照射硅片表面时，产生一种圆锥形的尖峰状阵列结构。当用肉眼观察时，具有这种结构的硅片呈现黑色,故叫黑硅。 主流黑硅技术有两种：干法制绒的离子反应法(干法
