激光工艺
高温在第一半导体区生成氧化硅掩膜层代替传统的氮化硅掩膜层，使得硅片背面的工艺流程大幅度缩短，有利于提高生产效率，同时使得整个工艺和设备成本显著降低，同时氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率需要满足特定公式，以保证第一半导体层处于最优的钝化水平的同时能够保护第一半导体层不受制绒清洗的破坏。
01、分享主题BC电池激光技术应用与发展分析02、演讲嘉宾海目星激光科技集团股份有限公司光伏行业中心前沿技术负责人 吴晋关于大会近年来，中国光伏行业持续推动技术迭代与生产力升级，迎来了组件功率大幅
)、钙钛矿、背接触(BC)和无主栅(0BB)等N型光伏电池技术为代表的新兴技术，凭借高发电量、高效率和更低度电成本等优势，正在迅速占据市场主导地位。在光伏产业升级的浪潮中，光伏设备作为提升工艺
索比光伏网获悉，近日，大族激光发布了其2024年第三季度报告，展示了公司在前三季度及第三季度的经营业绩。数据显示，大族激光在前三季度实现了营业收入和净利润的双重增长，其中净利润同比大幅增长
124.21%。然而，在第三季度，公司的净利润却略有下降。根据报告，大族激光在2024年前三季度实现营业收入101.29亿元，同比增长7.90%。这一增长表明，公司在市场拓展、产品研发和客户服务等方面取得了积极
AI、物联网、3C消费电子、PCBA制程、半导体封装、新能源、汽车、激光、家用电器、工业机器人等不同领域的行业领袖与技术专家齐聚一堂，现场分享最新技术成果、最炙手可热的行业领域以及最新趋势，为行业带来新
，全球功率半导体分立器件和模块的市场规模将分别达到76亿美元和113亿美元。NEPCON ASIA
2024全新推出功率半导体封测工艺示范区，重点聚焦SiC模块领域的三条新工艺路线，荟萃60家半导体
一夜暴增。中国光伏产品价廉物美，订单接到手软，引发第一轮投资热。这轮热潮持续四年，到2008年时因为全球金融危机爆发，海外需求急剧下滑而熄火。此后的第二轮和第三轮周期，都始于中国政府为刺激光伏产业而推出
无数企业殚精竭虑，靠着不断的技术迭代和工艺升级向着它无限逼近，不仅为了展示实力，更为了背后巨大的经济利益——转换率每提高1%，每度电的发电成本就下降5%至7%。1954年光伏技术面世时，度电成本大约
化进展及发展方向BC电池激光技术应用与发展分析N型电池铜互联装备及工艺进展HJT电池技术进展与展望HJT电池工艺设备发展分析大面积钙钛矿电池技术与产业化进展钙钛矿叠层电池技术进展与挑战钙钛矿/叠层电池
cells by laser
patterning》的研究论文，首次报道了通过全激光图形化工艺使晶硅电池光电转换效率突破27%的研究成果。这一突破标志着晶硅太阳能电池效率首次超过27%，为基于晶硅材料的
攻关。团队开发了新型的致密异质结钝化接触，突破行业一直以来的180-210℃的异质结制备瓶颈，工艺温度达到240℃。同时，研发团队通过开发全激光图形化工艺以及低铟、无银金属化方案，在提升效率的同时，也
HPBC1.0电池技术，正式开启BC时代。时隔两年，隆基打造的HPBC2.0电池技术承袭HPBC一代的优秀基因，跨越电池衬底、钝化技术以及制程工艺三大关键技术鸿沟，是目前全球量产效率最高的电池技术。隆基
”字型焊接结构，大幅降低组件在运输、安装和“服役”过程中的隐裂风险。综合物流运输数据，其整体隐裂风险降幅高达87.2%，不惧多重环境应力，让客户安心。高收益，增厚价值回报突破硅片衬底、电池效率和封装工艺
本文介绍了一种利用激光技术制备高效背接触硅异质结太阳能电池的方法，实现了27.3%的效率，创下了新的纪录。文章针对背接触电池制备过程中存在的复杂性和效率损失问题，提出了三个关键工艺改进：密集钝化接触
、无激光损伤的激光刻蚀和通过优化湿化学工艺控制刻蚀深度。此外，文章还探讨了在太瓦规模下，如何减少对稀有铟和贵金属银的依赖，并展示了无铟和银背接触电池的制备，分别实现了26.5%和26.2%的效率。该
，达到这一效率的提效手段还是比较丰富的，比如激光辅助烧结技术、正背面的Poly-finger技术、新型金属化技术、隧穿势垒再构技术等。TOPCon广阔技术延伸潜力对于TOPCon技术的进一步延伸，宋登元
技术的发展浪潮。一道新能根据自身的技术积累，已经制定了详细的提效技术路径与实现工艺，基于新技术、新材料、新结构、新工艺等手段的应用，使载流子寿命提升与表面复合大幅下降，从而使TOPCon电池逼近其理论
