深蓝钙钛矿

针对深蓝色钙钛矿发光二极管（LED）中因宽带隙钙钛矿结构缺陷导致的载流子传输受损与非辐射复合严重等关键挑战，清华大学、南京工业大学、香港理工大学等多家科研团队创新性提出原位生长高质量单晶薄膜（SCTF）与双层协同钝化界面策略。该研究通过空间限制生长法在空气中原位制备出大面积、高取向、原子级平滑的PEA₂PbBr₄钙钛矿单晶薄膜，并结合理论计算指导缺陷调控，实现了深蓝光高效辐射。在器件工程方面，通过优化空穴传输层与覆盖基板界面，采用两段式热退火结晶工艺，显著提升了薄膜质量与发光效率。最终，基于该单晶薄膜的深蓝钙钛矿LED实现了中心波长419 nm、最大亮度179 cd/m²的深蓝电致发光，其外量子效率达0.19%，是目前基于二维钙钛矿的深蓝器件中亮度最高的成果之一。该研究以"Deep-blue light-emitting diodes based on perovskite single-crystal thin films"为题发表在顶级期刊《Science Advances》上。

清华新闻网12月12日电 钙钛矿材料因其优异的光电特性与可溶液加工等优势，在发光二极管领域展现出广阔的应用前景，尤其在色纯度、荧光量子产率及波长可调性方面表现突出。目前，钙钛矿蓝光器件的研发主要围绕混合卤素与准二维结构两种策略展开，通过组分调控与维度工程，天蓝光区域的发光效率已提高至25%以上，显示出良好的发展态势。

钙钛矿材料因其优异的光电特性与可溶液加工等优势，在发光二极管领域展现出广阔的应用前景，尤其在色纯度、荧光量子产率及波长可调性方面表现突出。目前，钙钛矿蓝光器件的研发主要围绕混合卤素与准二维结构两种策略展开，通过组分调控与维度工程，天蓝光区域的发光效率已提高至25%以上，显示出良好的发展态势。

值得注意的是，本研究首次系统研究并阐明了蓝光PeLEDs中双峰发射的起源机制。该研究为实现单一卤化物钙钛矿的光谱稳定、高效深蓝光发射提供了明确范式，并为蓝光PeLED的未来发展提供了关键指导。实现高效稳定的深蓝光PeLED：器件在464nm处实现单峰深蓝发射，EQE达4.76%，操作寿命T达69.81分钟，展现出优异的色纯度与光谱稳定性。

胶体量子限域的CsPbBr纳米片具有窄发射线宽和厚度可调的光致发光特性，是深蓝钙钛矿发光二极管的理想候选材料。所制备的PeLED在CsPbBr纳米片基器件中性能创纪录，最大外量子效率达6.81%，峰值亮度143cd/m，CIE色坐标完全符合Rec.2020标准，较未钝化器件提升十倍。优异光学性能与色纯度：实现461nm深蓝发射，半高宽仅13nm，PLQY高达96%，CIE-y值低至0.046，完全满足Rec.2020超高清显示标准。

纯卤化物低维钙钛矿具有较大的激子结合能和可调谐带隙，在高效深蓝色钙钛矿发光二极管(PeLED)方面显示出巨大的潜力。然而，它们的效率，特别是在低n值相域(“n”代表八面体片的数量)，落后于同类的
，最大外部量子效率为10.4%，使其成为报道的最高效的深蓝光PeLED之一。该策略还展示了更高n值低维钙钛矿的普遍性。据信，这一观察结果以及边缘态管理策略为低维钙钛矿光电器件的进一步发展奠定了基础。

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