涂布型

不良焊接的原因很多。比如：焊台的温度、助焊剂的涂布、电烙铁的温度、人员的熟练程度等等。有些方面是可以通过有效的管理来解决的，而有些情况是无法完全控制的，对于人工焊接过程中影响焊接可靠性的因素，全自动
串焊机均能得到良好解决。 下面就宁夏小牛太阳能有限公司自主研发的并已投放市场的CH2316A型串焊机焊接过程与人工焊接做个对比。 CH2316A全自动串焊机示意图 整个串焊过程包括：①取料

涂布在非结晶Si型薄膜太阳能电池上时，转换效率比原来的数值提高了9％，用在转换效率为20％的太阳能电池上，有望实现22％的效率。 　　2010年还有很多从结构上提高效率的尝试。 　　如
列太阳电池的平均光电转换效率可达39.2%，这是目前已量产的太阳能电池中转换效率最高的。 　　多结太阳能电池通常用在聚光型光伏（CPV）应用方面。在2010年，获得突破的不仅仅是多结太阳能电池，在

2010年初时，半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics）加盟夏普与意大利Enel合作的薄膜硅型太阳能电池生产业务的消息传来，立即引起各路媒体竞相报道，与太阳能电池相关的半导体
专栏也猛追这条新闻。之后，三家公司在8月将投产时期从当初计划的2011年初推迟到了2011年下半年。计划变更的原因之一在于Si原料价格的下跌使得竞争对手晶体硅型太阳能电池的价格下落，薄膜硅型太阳能电池

的UV-A。并且还会将这一光线转换成波长为475nm的蓝色光。虽然转换效率未直接进行测定，但“激励光谱与吸收光谱的峰值相一致，表明转换效率较高”（辻内）。 　　将该材料涂布在非结晶Si型薄膜太阳能
太阳能电池以外的用途方面，通过涂布在窗户上可遮挡紫外线。但这时由紫外线转换的光会使玻璃发出淡蓝色的可视光。不过，“通过减薄涂布膜，可使发光变得不明显”（辻内）。

　　三洋电机首次公开了在薄膜硅型太阳能电池的部分制造工序中采用涂布工艺的成果。由于可减少真空工艺，因此有望降低制造成本。该公司还公开了使用1.1m×1.4m底板时，稳定化前的转换效率为10.4％的
结果。 　　利用涂布工艺成膜的是ITO、Ag和硅，使用大日本网屏的线性涂布机（Line Coater）涂布三菱材料的纳米油墨后加热形成。非晶硅型膜和微晶硅膜与原来一样仍采用真空工艺。 　　组合

　　日本产业技术综合研究所太阳能发电研究中心，公布了其与三菱商事及TOKKI共同开发的高分子涂布型有机薄膜太阳能电池的高集成模块的详情。这是该中心在筑波市国际会议中心举行的“第6届成果报告会”上演
高分子材料，p型半导体采用了P3HT，n型半导体采用了PCBM。 　　制成的模块已首次在2010年6月30日～7月2日举办的展会“PV Japan 2010”上公开。（记者：野泽 哲生）

有可能低成本制造太阳能电池。EnSol公司表示，目标是在2016年之前实用化。 　　这是一种将直径为10～100nm的“纳米粒子”混入透明介质中，并在玻璃底板上涂布极薄的一层而成的薄膜太阳能电池。据称
技术与以往的不同点在于，纳米粒子在产生SPR效果的同时，还可作为电荷供应源。 　　顺便一提，多数情况下，第1代太阳能电池池是指结晶硅类太阳能电池，第2代是指薄膜太阳能电池，第3代多指量子点型

化学转换太阳能为电能可能实现的是Becquere1，他在1839年发现涂布了卤化银颗粒的金属电极在电解液中产生了光电流，以后Brattain、Garrett及Gerisher等人先后提出和建立了一系列
，克服光腐蚀是Si光电化学电池研究的主要内容。在n-Si电极表面化学沉积Au，形成Au与Si表面渗合层，可减少光腐蚀；用电沉积法将聚丁基紫精修饰于p-Si电极表面，也使光腐蚀明显下降。n型和P型外延硅

　　为了能够与处理大范围波长的薄膜多结型相组合，业界已开始为用作电极的透明导电膜开发可处理大范围波长的材料。现有薄膜太阳能电池主要利用可视光（400～700nm），但是为了提高效率，同时也在利用红外
～50cm2/Vs高三位数。这样，即使将表面电阻设定为与ITO同等的10Ω/sq，也可形成对大范围波长具有高透射率的薄膜。 　　富士电机控股利用涂布方法形成了石墨烯薄膜。涂布用材料由廉价石墨制造

存在，则可以很容易的涂布或是附着于基板表面并烘烤。侯提到”利用我们的方法，其中的优势之一在于材料的利用，另外则是材料以溶液的状态存在，有利于使用连续式的卷对卷(roll-to-roll)制程生产，这些
产生一家绿色能源的公司，特别是加州这里，可以带来新的就业机会。 　　这项研究是由美国国家科学基金会(NSF)的研究生整合型教育与研究训练奖学金(Integrative Graduate