氮化镓

。 一个由铯涂层镓氮化物制造的小型PETE设备，在超高真空室内测试时发光了。图片由Nick Melosh提供 大多数光伏电池使用的半导体材料，例如硅，都是把光子的光转换为电力。然而，只有光谱的
的还仅限于理论，因为PETE设备目前还处于测试和开发的阶段。 研究员在证明这个概念的测试中选择使用氮化镓半导体，是因为它是目前仅有的能够经受高温的材料。尽管功效的测试结果远低于之前计算的潜在功效，但

。 　　日本京都工艺纤维大学副教授园田早纪的研究小组2010年3月19日在“第57届应用物理学相关联合演讲会”上宣布，试制出了可对从紫外光、可视光直至红外光进行光电转换的太阳能电池。据称是在氮化镓（GaN
，已达到约2V。 　　园田等发表了题为“在过渡金属添加氮化物半导体形成紫外-可视-红外光电转换材料～以简单元件结构实现新一代超效率太阳能电池目标”的演讲。园田连续6次使用限时15分钟的演讲机会，进行了

III-V 族外延晶圆和氮化镓 (GaN) 晶圆，主要用于制造高频电子产品和其他光电子器件。Tracit 则侧重于薄膜层转移技术，用于制造电源管理集成电路和微系统所需要的晶圆，以及通用电路的转移技术

进行研究。厦门大学的微纳光电子研究室试图用氮化镓（GaN）基材料来提高太阳能电池的转换效率。他们的理论支持是，如果要将地面应用的光伏器件转换效率提高到50％以上，必须使用带隙超过2.4GeV的材料，并把
铜铟镓硒（CIGS）电池片转换效率达到了19.9％。目前美国陶式化学公司的CIGS薄光电管电池的转换效率目标为15％，其竞争对手Helio Volt的目标为12.2％，Global Solar的目标为

BluGlass公司今天宣布，准备扩大公司潜能，研发尖端的半导体制造技术，特别是太阳能行业上用到的远距离等离子化学气相沉积技术，发展诸如氮化镓铟(InGaN)的III族氮化薄膜技术，使之成为
光谱转化为电力。BluGlass公司正是擅长于该领域的研究，特别是III族氮化薄膜，氮化镓铟(InGaN)，氮化太阳能电池等方面。一旦研究成功，该类电池片的使用寿命将会更长，相对来说更便宜，更为重要的是

扩大，产业规模将迅速增长。 2007年我国芯片产量380亿只，产值达到15亿元。2007年国产GaN（氮化镓）芯片产能增加非常突出，较2006年增长60%，实际年产量达到90亿只，国产

，光源耗电量少，节约能源，以第三代半导体材料氮化镓作为LED照明光源，在同样亮度下耗电量仅为普通白炽灯的1/10。 作为一种全新的照明技术，LED(发光二极管)是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能

Magnolia日前宣布，公司目前正在与Kopin合作发展N型量子点太阳能电池项目，该合作项目将应用于NASA以及防御系统。这已不是两家公司的第一次合作，早前的氮化镓(GaN)材料运用项目就是
型量子点太阳能电池的强室温发光力，最大发射能量范围可以从红外线达到紫外线。二期项目中，量子点太阳能电池将会运用更高能带隙的氮化镓(GaN)栅栏材料。 Kopin相关人士表示，进行中的

是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料；其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者，太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N型中阻单晶，寿命达毫秒量级，直径8英寸；现普遍

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器(KGCX2-SW-115)”于11月26日通过专家验收。 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料