氩气

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史珺博士谈普罗的多晶硅铸锭炉的炉前检查来源:新浪博客 发布时间:2014-09-09 13:12:15

在炉前检查时容易被忽略。但一旦污染,很容易造成真空泵损坏,因此,一定要每次都清洁。而管道内如果有滤网,那么,滤网也要每炉进行清洁。充气系统多晶硅铸锭过程中需要充入氩气,此外,在冷却时也要对炉内充氩气
。在铸锭时,要对炉内充氩气保护,因此,充气系统要保持完好。充气系统由气源、气管、阀门、流量与压力计等组成。要逐一检查是否完好,尤其是气体管路的炉内部分,要注意不要与其它炉内元件尤其是加热元件碰到,或距离

中强光伏:史珺博士谈普罗的多晶硅铸锭炉的炉前检查来源:新浪博客 史珺博士 发布时间:2014-09-09 09:03:21

。但一旦污染,很容易造成真空泵损坏,因此,一定要每次都清洁。而管道内如果有滤网,那么,滤网也要每炉进行清洁。 充气系统 多晶硅铸锭过程中需要充入氩气,此外,在冷却时也要对炉内充氩气。在铸锭时
,要对炉内充氩气保护,因此,充气系统要保持完好。充气系统由气源、气管、阀门、流量与压力计等组成。要逐一检查是否完好,尤其是气体管路的炉内部分,要注意不要与其它炉内元件尤其是加热元件碰到,或距离过近

光伏设备:一炉四锭的多晶硅提纯铸锭炉来源:新浪博客 史珺博士 发布时间:2014-09-09 00:03:47

进一步改变,使得铸锭综合能耗降低到每公斤5千瓦时以下;氩气消耗则可下降了80%,只相当于普通单锭铸锭炉的单耗的20%。 炉内坩埚放置情况 三、 一炉四锭多晶硅提纯铸锭炉的优势
,但一台四锭炉的价格绝对不到四台单锭炉的价格;还因为,同样产能的场地占用面积小,将减少厂房和设备基础的造价;配电容量的降低,将降低高低压配电系统的成本;还有氩气消耗的降低,会降低氩气制备或供应系统的

史珺博士:一炉四锭的多晶硅提纯铸锭炉来源:世纪新能源网 发布时间:2014-09-08 23:59:59

底的冷却方式进行了进一步改进,采用二级冷却,大大提高了四个坩埚底部的温度均匀性和降温的可控性。热场的进一步改变,使得铸锭综合能耗降低到每公斤5千瓦时以下;氩气消耗则可下降了80%,只相当于普通单锭
高低压配电系统的成本;还有氩气消耗的降低,会降低氩气制备或供应系统的造价;冷却水流量的降低,将降低冷却水循环和纯水制备系统的固定投入。这些各项因素加起来,将能够大大减少用户对一个工厂的投资。初步

分布式报告(五):居民平价上网引发分布式光伏市场成长性爆发【图表】来源: 发布时间:2014-07-07 00:06:59

投料量、采用金刚线切割以及薄片化。单体投料量增大可以改进降低电力、石英坩埚、石墨、氩气单耗,金刚线(电镀)的规模化和产业化将导致成本降低,价格由8美分/米降低至5美分/米,相比于砂浆具有明显的成本优势

华创分布式报告八:居民平价上网引发分布式光伏市场成长性爆发来源:华创新能源 发布时间:2014-07-04 09:01:16

/wps_clip_image-15202.png" /   硅片环节,以单晶硅片为例,未来成本降低的主要措施有增大投料量、采用金刚线切割以及薄片化。单体投料量增大可以改进降低电力、石英坩埚、石墨、氩气单耗,金刚线(电镀)的规模化和产业化将导致

海润光伏科技股份有限公司非公开发行A股股票预案(修正案)来源:世纪新能源网 发布时间:2014-03-26 23:59:59

国内生产设备共计116台;采购水冷机组、空调机组、水泵、软水装置、冷却塔、废水处理装置、氩气储罐等国内公用设备共计37台/套。本项目生产所需的铸锭车间和多晶硅切片车间主要通过原有厂区车间改造,改造建筑面积

单晶硅、多晶硅及非晶硅太阳能电池的区别来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2014-03-25 15:20:15

,电耗更低,非常吸引人。制造非晶硅太阳电池的方法有多种,最常见的是辉光放电法,还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空,充入氢气或氩气稀释的硅烷

单晶硅,多晶硅及非晶硅太阳能电池的区别来源:TestPV 发布时间:2014-03-25 13:21:23

更低,非常吸引人。制造非晶硅太阳电池的方法有多种,最常见的是辉光放电法,还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空,充入氢气或氩气稀释的硅烷,用射频

多晶硅的制作方法来源: 发布时间:2013-09-24 15:22:05

索比光伏网讯:1.装料将装有涂层的石英坩埚在热交换台上,加入硅原料,然后安装加热设备、隔热设备和炉罩,将炉内抽真空使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气,使炉内压力基本
。3.化料通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。逐渐增加加热功率,使适应坩埚内的温度达到1500℃左右,硅原料开始熔化。熔化过程中一直保证1500℃左右,直至化料结束。该