晶圆
二十年的技术积累和应用实践，比亚迪半导体IGBT 芯片设计能力、 晶圆制造工艺和模块封装技术持续迭代升级，被广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。 基于对下游应用需求的深刻理解和在相关领域深厚的技术
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/月(折合8英寸晶圆)。推动计算机、家电企业研发应用新型节能技术、开展
《路透社》报导，印度南部卡纳塔克邦政府1日表示，国际半导体财团ISMC将在印度南部卡纳塔克邦投资30亿美元，建立半导体制造晶圆厂。
ISMC是阿布扎比Next Orbit Ventures和以色列
高塔半导体(Tower Semiconductor)的合资企业，英特尔日前宣布收购高塔。卡纳塔克邦政府公告指出，印度第一个半导体制造晶圆厂建置计划将创造超过1500个直接就业机会，以及10000个
项目，其中80亿元将投资于多晶硅、晶圆、电池、组件等制造领域。可见，信实工业的野心并不仅限于电池片领域。 那么，信实工业缘何首先进军电池片环节，并选择了远未发展成熟的HJT技术路线？ 首先，印度的组件环节
日前，位于晋安湖三创园的福州高意首条第三代半导体碳化硅晶圆基片生产线进入规模量产，预计年产10万片，产值可达5亿元。车间内，工人日夜赶制的碳化硅晶圆基片，每一片都名花有主。
据悉，首条碳化硅生产线
量产后，第二条、第三条生产线也在加快建设，到明年底，福州高意碳化硅基片产能有望突破50万片，产值达30亿元。
碳化硅晶圆基片是第三代半导体的基础原料，主要应用于新能源汽车行业，包括5G智能驾驶、功率
了工艺，这个价值链发生了根本性的变化，与传统的晶圆制造工艺相比，生产成本肯定会明显降低。 这就是EpiWafer，一种别出心裁的工艺制作的硅片。 图2：外延晶圆(右)与可重复使用的种子晶圆
电子产品的制造都将得到推动。总体而言，其重点仍将放在整合上，尤其是多晶硅和晶圆，因为只有光伏模块被印度新能源和可再生能源部(MNRE)官员称为没有足够的附加值。 印度可再生能源发展署(IREDA)开展的
最近发布的一份调查报告，中国拥有全球83%的多晶硅产能、96%的晶圆产能、79%的光伏电池产能和70%的光伏组件产能。 美国能源部的一份报告声称，激励措施可以抵消美国光伏制造成本的上涨，其成本
制造业大项目100个以上，总量不低于引进数的50%。重点推进纳爱斯生态综合园、中欣晶圆、耀宁科技、广芯微电子、旺荣半导体、中利控股、东旭集团、荣凯科技、宇恒新能源、睿升半导体、上海正帆、爱玛车业等12个
而已，只是在技术和产能层面的进入壁垒，对既得利益者形成了较大的冲击。本质上，光伏硅片尺寸的不断变迁主要受到半导体行业晶圆尺寸变化的影响，G12即是中环股份将半导体的12英寸拉晶技术应用于光伏行业的产物
对于产业链降本增效的推动，都证明了大尺寸、薄片化是光伏行业不以人的意志为转移的必由之路。由于半导体行业的18英寸晶圆受到热场尺寸、拉晶工艺、破片率、综合成本较高等诸多条件的限制，在短期内难以取代目前主流的12英寸。这意味着对于光伏行业而言，未来5-10年12英寸硅片大概率将成为极限尺寸。
