晶体

近日，上海微系统所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池的掺杂非晶硅(a-Si:H)薄膜中发现到反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常

PERC产能已经逐渐停止，目前扩产计划也纷纷转向N型技术产线建设。进入二季度，包括晶科在内的多家厂商TOPCon产能开始释放，有望享受技术溢价。 2.HJT电池 HJT 电池利用晶体硅(c Si
)和非晶体硅(Si )薄膜制成，结合了晶硅太阳能电池片和薄膜技术的双重优势，由于薄膜具备光吸收强、钝化性能优的特点。HJT 发展至今已有 47 年时间，伴随着技术的迭代、转换效率的提升，HJT电池

质量，在后期制绒扩散步骤中还会导致大晶体形成，从而使收集光子的硅片表面积缩小，降低电池光电转化效率。 赢创面向光伏行业推出的全新TEGO Surten E系列产品进一步拓展了用于可再生能源领域的

。此外，IBC结构前表面无金属栅线，充分地利用了入射光，背部与TOPCon技术全钝化接触优势相结合，可在晶体硅光伏电池中取得更高的效率。 目前，黄河公司IBC电池平均量产转换效率24.2%，组件量产

子公司，主要从事光伏和半导体行业晶体生长专用设备的研发、制造、销售及提供综合性解决方案。公司拥有多年生产制造经验，目前正在积极开发大数据集控系统，将单晶硅制造与人工智能、大数据等进行互联，为达成全面感知、动态预测、协同控制的生产奠定基础。

近期，由英利能源(中国)有限公司、南开大学、保定光为绿色能源科技有限公司、巨力新能源股份有限公司、保定市铭源光伏科技有限公司共同承担的河北省重点研发计划项目 隧穿钝化高效率N型晶体硅电池关键技术及

各个功率器件轮流导通和关断，再经由变压器藕合升压或降压，最终实现直流转交流的转换。因此，IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为光伏逆变器的核心元器件，在光伏等领域的应用极为广泛。 车规IGBT优势显著

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/月(折合8英寸晶圆)。推动计算机、家电企业研发应用新型节能技术、开展